不挥发性记亿体

摘要

本发明之非挥发性记忆体，其特征为：作为其写入电晶体，使用至少２个以上之串联连接之开关（ switching）用MOS 电晶体，其各闸极共同地接于一写入信号线或，依情况而定，设置一通路（ path ）由上述串联连接之２个电晶体的中间连接点介由电晶体接向GND，在该电晶体之闸极接有与上述写入信号相反极性的信号。

主权项

1 一种非挥发性记忆体,其特征为 : 在接于写入电压端与位元线之间的写入电路,具有2 个以上串联连接之写入用 MOS 电晶体,在此各写入用 MoS电晶体之闸极共通地接有写入信号线。2 如申请专利范围第l项之非挥发性记忆组,其中,在上述串联连接之2个以上的写入用 MoS 电晶体的中间接点与接地端之间接有短路开关用 MOS 电晶体,此短路用MOS 电晶体对应于上述写入信号线之电位固示简单说明 :囗I系表示发明之一实施例的 EPR0M之部份电路囗,囗 2 表示习知之 EPROhl之部份电路囗囗3为对m2 中之记忆元执行资料写入之状态的所面囗。