| 摘要 |
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une diode de régulation et de protection sur un substrat comprenant une première couche épaisse 40 de type N fortement dopée et une deuxième couche 10 de type N faiblement dopée, comprenant les étapes successives suivantes :Implanter dans une première zone de petite surface des dopants 12 de type N dans la deuxième couche,Réaliser un premier recuit,Implanter dans une deuxième zone englobant et entourant la première zone des dopants 22 de type N,Réaliser un deuxième recuit,Implanter dans une troisième zone englobant la première zone et au moins une partie de la deuxième zone des dopants 32 de type P, etRéaliser un troisième recuit.
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