发明名称 醯胺基酸消旋 ,其制法及其用途
摘要 本发明系有关醯胺基酸消旋,其制法及其用途者。本发明之醯胺基酸消旋于中性pH值附近,及常温、常压下在旋光性胺基酸存在下单独将旋光性N-醯基-α-胺基羧酸消旋,其与D-或L-胺醯组合使用可以高效率由DL-醯基-α-胺基羧酸产生旋光性D-或L-α-胺基酸。
申请公布号 TW134561 申请公布日期 1990.05.21
申请号 TW077104844 申请日期 1988.07.15
申请人 武田药品工业股份有限公司 发明人 波多野和德;高桥健
分类号 C07C227/30 主分类号 C07C227/30
代理机构 代理人 洪武雄 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;陈灿晖 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼
主权项 1.一种具有下列性质的醯胺基酸消旋 :(1) 将下式D-N-醯基--胺基羧酸:式中,x 为衍生自羧酸之醯基,可被取代;和R 为直链或支链之C1-6烷基、被羟基、C1-3烷硫基、氢硫基、苯基、羟苯基或基取代之C1-3烷基,或被胺基、羧基、胍基或咪唑基取代之C1-4烷基;转变成下式之对应L-N-醯基--胺基羧酸:式中,x 和R 之定义如同上述。(2) 将下式「-N-醯基--胺基羧酸式中,x 和R 之定义如同上述,转变成下式之对应D-N-醯基--铵基羧酸:式中,X 和R 之定义如同上述。(3)不将D--胺基酸转变成对应之L-胺基酸,和(4)不将L--胺基酸转变成对应之D-胺基酸,(5)适当反应pH値为6.0-8.5 ;在pH 6-9 具安定性,(6)适当反应温度为25-65℃;在50℃以下具安定性,(7)可被钴离子活化,及被EDTA抑制,和(8)系由复数个分子量为40,000道尔顿之亚单位(Subunits)所构成之蛋白质。2.如申请专利范围第l.项之酯胺基酸消旋,其中,X 为C1-3烷醯基或苯甲醯基,可被卤素,C1-3烷基,C1-3烷氧基或 /及硝基取代。3.如申请专利范围第1.项之醯胺基酸消旋,其系由能产生该醯胺基酸消旋 之放线菌所产生之醱酵产物者。4.如申请专利范围第1.项之醯胺基酸消旋,其中尚含有胺醯 者。5.一种制造如申请专利范围第1.项所述之醯胺基酸消旋 的方法,此方法包括于一含有碳源、氮源及无机营养分之培养基中,于15-37℃及pH5-9 条件下,培养一可产生该酵素之微生物18小时至4 天,以使该酵素在培养基中蓄积并收集该酵素。6.一种制造旋光性D-或L-胺基酸之方法,此方法包括将申请专利范围第I.项所述之醯胺基酸消旋 于D-或L -胺醯 存在下与DL-N-醯基--胺基羟酸接触。
地址 日本