发明名称 磁光记录膜
摘要 根据这个发明所提供之磁生记录膜包含了(i)铂和/或钯(ii)稀土元素(RE),和(iii)铁和/或钴,其中铂和/或钯在里头的含量多于原子百分比10%但比30%少,铁和/或钴的含量至少为原子百分比40%但少于70%,还有钴/(铁+钴)的比例〔原子数比〕为0~0.3。这个发明之磁光记录膜抗氧化性优良并且能够使用一段长的时间,再者它的C/N比大,噪音程度低,以及偏压磁场依赖度也十分优良。
申请公布号 TW140220 申请公布日期 1990.08.21
申请号 TW077103907 申请日期 1988.06.10
申请人 三井石油化学工业股份有限公司 发明人 水本邦彦;春田浩一;浦博一
分类号 G11B13/04 主分类号 G11B13/04
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1.一种磁光记录膜它含有(i)铂和/或钯(ii)稀土元素(RE)和(iii)铁和/或钴,前述的铂和/和钯的量多于原子百分比10%而少于30%,前述的铁和/或钴的含量多于原子百分比40%而少于70%,而钴(铁+钴)的比例[原子数比]为0~0.3。2.如申请专利范围第1项所请之磁光记录膜,其中前述记录膜的一种结晶状态大体上为非晶质。3.如申请专利范围第1或2项所请之磁光记录膜其中铂和/或钯在此含量大于原子百分比10%但小于20%。4.如申请专利范围第1或2项所请之磁光记录膜其中铂和/或钯在此的含量为原子百分比11%至19%。5.如申请专利范围第1或2项所请之磁光记录膜其中铁和/钴在此的含量至少为原子百分比40%,而少于60%。6.如申请专利范围第1或2项所请之磁光记录膜其中钴/(铁+钴)的比例[原子数比]为0~0.2。7.如申请专利范围第1或2项所请之磁光记录膜其中钴(铁十钴)的比例[原子数比]为0.01~0.2。8.如申请专利范围第1或2项所请之磁光记录膜其中稀土元素为钕、 、镨、铈、铕、 、铽、 或钬。9.一种磁光记录膜,其特征在于该记录膜系为一种包含有第一层和第二层磁光记录膜的两层的组识,其中有Hc1>Hc2和Tc1>Tc2的关系Hc1,和Tc1分别代表的是第一层磁光记录膜的矫顽磁力和居里温度,Hc2和Tc2分别代表的是第二层磁光记录膜的矫磁力和固里温度,而且至少层膜(与基质相对的一层,也就是,第二层磁光记录膜)包含(i)铂和/或钯,(ii)稀土元素(RE),和(iii)铁和/或钴,其中铂和/或钯在这里的含量多于原子百分比10%但少于30%,铁和/或钴的含量至少为原子百分比40%但少于70%,还有钴/(铁+钴)的比例[原子数比]为0~0.3。10.如申请专利范围第9项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜的一种结晶状态为非晶质。11.如申请专利范围第9或10项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜包含铂和/或钯的含量多于原子百分比10%但少于20%。12.如申请专利范围第9或10项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜包含铂和/或钯的含量在原子百分比11-19%之间。13.如申请专利范围第9或10项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜包含铁和/或钴的含量至少为原子百分比40%但少于60%。14.如申请专利范围第9或10项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜中钴/(铁+钴)的比例为0~0.2。15.如申请专利范围第9或10项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记膜中钴(铁+钴)的比例为0.01~0.2。16.如申请专利范围第9或10项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜中所含的稀土元素为钕、 、镨、铈、铕、 、铽、 或钬。17.一种磁光记录膜,其特征在于该记录膜系为一种包含有第一层和第二层磁光记录膜的两层的组识,其中第一层膜的矫顽磁力小于第二层的矫顽磁力,还有至少外层(与基质相对的一层)包含有(i)铂和/或钯,(ii)稀土元素(RE),和(iii)铁和/或钴,其中铂和/或钯在此之含量多于原子百分比10%但少于30%,铁和/或钴在此的含量最少为原子百分比40%但少于70%,而钴/(铁+钴)的比例[原子数比]为0~0.3。18.如申请专利范围第17项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜的一种结晶状态为非晶质。19.如申请专利范围第17或18项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜包含铂和/或钯的含量多于原子百分比10%但少于20%。20.如申请专利范围第17或18项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜包含铂和/或钯的含量在原子百分比11-19%之间。21.如申请专利范围第17或18项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜所含之铁和/或钴的含量至少为原子百分比40%但少于60%。22.如申请专利范围第17或18项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜中钴/(铁+钴)[原子数比]比例为0~0.2。23.如申请专利范围第17或18项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜中钴(铁+钴)比例[原子数比]为0.01~0.2。24.如申请专利范围第17或18项所请之磁光记录膜其中第二层磁光记录膜中所含的稀土元素为钕、 、镨、铈、铕、 、铽、或钬。25.一种合金靶含有(i)铂和/或钯(ii)一种烯土元素和(iii)铁和/或钴,其中铂和/或钯在这里的含量大于原子百分比5%但少于40%,铁和/或钴的含量至少为原子百分比30%但少于80%,而且钴/ (铁+钴)的比例[原子数]比为0~0.4。图示简单说明:图1表示磁光记录膜中铂和/或钯含量与抗氧化性(C/N比)的关系。图2表示偏压磁场 (Oe奥斯特)和C/N比的关系。图3表示铂和/或钯的含量(原子百分比)与最小偏压磁场(H饱和(Oe))的关系。图4是表示在含铂之磁光记录膜中钴/(铁+钴)比与噪音程度(dBm)的关系。图5是表示在含靶之磁光记录膜中钴/(铁+钴)比与噪音程度的关系。图6是表示磁光记录膜中钴/(铁+钴)比与消除劣化(C/N比(dB))的关系。
地址 日本