| 摘要 |
<p>Le laser à semi-conducteur de la présente invention est pourvu d'un module photodétecteur (120) et d'un module laser (100) montés sur des surfaces orthogonales d'un dissipateur thermique (126). Le module photodétecteur (120) comprend un photodétecteur (122b) et deux blocs de liaison de fil électrique isolé électriquement (122a, 122c) ayant chacun deux surfaces parallèles aux surfaces orthogonales du dissipateur thermique (126). Le module laser (100) comprend une diode laser (102) liée et une région de liaison de fils électriques (112) avec deux surfaces également parallèles aux surfaces orthogonales du dissipateur thermique (126). Les deux surfaces (132b, 134b) des modules photodétecteurs (120) sont ainsi parallèles aux surfaces de régions de liaison de fils (110, 112) sur le module laser (100), permettant de réaliser des connexions de fil (140, 142, 144) entre les surfaces parallèles avant de monter le dissipateur thermique (126) sur un collecteur. L'une des surfaces de chacun des blocs de liaison de fils (122a, 122c) et des régions (112) est parallèle aux broches d'un collecteur, permettant la fixation des fils électriques du module photodétecteur (120) et du module laser (100) sur les broches sans faire subir de rotation au collecteur et aux broches.</p> |
