| 主权项 |
1﹒一种合成具有ZSM-5沸石结构的结晶镓矽酸盐的方法,包含形成具有下列当量比组成的矽、镓、硷金属(M)、有机氮阳离子(R)和水的反应混合物:SiO2/Ga2O3 =100-10,000H2O/SiO2 =5-200OH-/Si02 =0-1.0M/Si02 =0.01-3.0R/SiO2 =0.01-2.0且让该混合物在80到200℃下反应6小时到150天直至镓矽酸盐晶体形成。2﹒根据申请专利范围第1项的方法,其中SiO2/Ga203比率大于250。3﹒根据申请专利范围第1项或第2项的方法,其中SiO2/Ga2O3的比率大于500。4﹒一种合成具有ZSM-5沸石结构的结晶镓矽酸盐的方法,包含形成具有下列当量比组成的矽、镓、硷金属(M)、有机氮阳离子(R)硫酸钠和水的反应混合物:SiO2/Ga2O3 =5-小于100H2O/SiO2 =5-200OH-/SiO2 =0-1.0M/Si02 =0.01-3.0R/Si02 =0.01-2.0Na2SO4/SiO2 =O.05-10(其中M不含以Na2SO4加入之钠)且让该混合物在80到200℃下反应6小时到150天直至镓矽酸盐的结晶产生。5﹒根据申请专利范围第4项的方法,其中Na2SO4/Si02比率値为0.07到1.0。6.根据申请专利范围第l项或第4项的方法,其中R是四丙铵。7﹒根据申请专利范围第1项或第4项的方法,其中矽的来源含少于1重量%的钠。8﹒根据申请专利范围第1项或第4项的方法,其中矽的来源是矽溶胶。9﹒根据申请专利范围第1项的方法,其中混合物在100到160℃下反应25到190小时。10﹒根据申请专利范围第l项或第4项的方法,其中镓的来源是镓盐。11﹒根据申请专利范围第1项或第4项的方法,其中反应混合物中:H2O/SiO2 =10-100OH-/Si02 =00.2-0.2M/Si02 =0.02-0.7R/SiO2 =0.05-0.512﹒根据申请专利范围第1项或第4项的方法,其中反应混合物中除了不纯物外不加入铝。13﹒根据申请专利范围第l项或第4项的方法,其中镓矽酸盐产物经过乾燥和缎烧。14﹒根据申请专利范围第1项或第4项的方法,其中镓矽酸盐产物藉着硷交换转化成氢的形式。15,一种将含有2到12个碳原子的石蜡、烯类、和/或荼的脂族化合物进料转化成含至少重量百分比30%的芳香族产物的方法,让方法含将进料在温度 400-650℃压力 1-15巴WHSV 0.l-10的条件下和如申请专利范围第1项所定义之含镓矽酸盐的沸石ZSM-5催化剂互相接触。16﹒根据申请专利范围第15项的方法,其中进料在450到550℃、1.35-5巴和0.5-2.5LHSV下和催化剂接触。17﹒根据申请专利范围第15项或第16项的方法,其中催化剂是镓矽酸盐和氧化矽、氧化铝和/或黏土接合剂的组合物。18﹒根据申请专利范围第15项或第16项的方法,其中催化剂周期性的在氢气压中进行再生。19﹒根据申请专利范围第15项或第16项的方法,其中镓矽酸盐不含NMR可测得之非-骨架镓。 |
