| 主权项 |
1﹒一种制造一半导体装置之方法,其中一电绝缘层(14)位于接触一半导体本体(10)之电互连系统(12)上,开口(24)经过绝缘层向下延伸至互连系统(12)之结合垫(16),每一衬垫均与一组电导体(32,34)之一不同导体之结合部分(36)接触,此等导体经过开口(24)远离互连结构,以及一电绝缘涂层(48)覆盖该本体(10),互连系统(12),绝缘层(14),及结合部分(36)而使每一导体(32,34)之一部分(32)穿出涂层(48),在该方法中位于互连系统(12)上但不覆于制成结合部分(36)之结合垫(16)区域之应力减轻层(46)是在绝缘层(14)及绝缘涂层(48)之间形成,其特征为该应力减轻层系利用在该绝缘层(14)上形成一可加图案层(42,50,58)并且向下移除可加图案层部份至衬垫(16)形成之剩余的可加图案层,形成应力减轻层(46),实质上系由一种弹性及电绝缘之材料组成,该材料具有低于150℃之玻璃过渡温度T。2﹒根据上述申请专利范围第1项所述之方法,其特征为T0是─65℃或更低。3﹒根据上述申请专利范围第1项所述之方法,其特征为移除步骤包含:暴露部分之可加图案层(42)于辐射线,使曝光部分改变其化学结构;以及将该可加图案层显影以除去该曝光部分。4﹒根据上述申请专利范围第1项所述之方法,其特征为移除步骤包含:在可加图案层(50)上产生一图案层(56);以及经由该图案层(56)中之开口蚀刻该可加图案层(50)。5﹒根据上述申请专利范围第3项或4项所述之方法,其特征为该图案层(46)被用于蚀刻该绝缘层(14)以便形成至结合垫(16)之开口(24)。图示简单说明图1a,1b,1c,1d,1e,及1f为显示习知技艺积体电路制造过程中各步骤之横断面结构视图。图2a,2b,2c,2d,2e,及2f为显示从图1c之结构开始依据本发明之积体电路制造过程中各步骤之横断面结构图。图3a,3b,3c,3d,3e,及3f为显示依据本发明从图1c之结构至图2c之结构之另一组步骤之横断面结构图。图4a,4b及4c为显示依据本发明从图1a之结构至图2C之结构之另一组步骤之横断面结构图。 |
