发明名称 METHODS AND APPARATI FOR MAKING THIN SEMI-CONDUCTOR WAFERS WITH LOCALLY CONTROLLED REGIONS THAT ARE RELATIVELY THICKER THAN OTHER REGIONS AND SUCH WAFERS
摘要 제어된 위치들에서 얇은 영역과 더 두꺼운 영역을 갖는 반도체 웨이퍼들은 광발전을 위한 것일 수 있다. 그 내부는 180미크론 미만이거나 50미크론까지 더 얇을 수 있고, 180 내지 250미크론 범위에 있는 더 두꺼운 부분이 있을 수 있다. 얇은 웨이퍼들은 더 높은 효율을 가진다. 더 두꺼운 둘레는 취급 강도를 제공한다. 더 두꺼운 줄무늬, 랜딩, 및 아일랜드는 금속화 결합을 위한 것이다. 웨이퍼들은 상대적인 두께들의 위치에 대응하도록 배치된, 상이한 열 추출 경향이 있는 영역들을 갖는 템플릿의 용해물로부터 직접 만들어질 수 있다. 격자간 산소는 6×10원자수/cc 미만, 바람직하게는 2×10미만이고, 총 산소수는 8.75×10원자수/cc 미만, 바람직하게는 5.25×10미만이다. 더 두꺼운 영역들이 상대적으로 더 높은 열 추출 경향을 가지는 인접한 템플릿 영역들과 더 낮은 추출 경향을 갖는 영역들에 인접한 더 얇은 영역들을 형성한다. 더 두꺼운 템플릿 영역들이 더 높은 추출 경향을 가진다. 템플릿 상의 기능성 재료들 역시 상이한 추출 경향을 가진다.
申请公布号 KR20160148004(A) 申请公布日期 2016.12.23
申请号 KR20167033686 申请日期 2015.04.17
申请人 1366 테크놀로지 인코포레이티드 发明人 SACHS, Emanuel, M.;존직 랄프;로렌즈 아담 엘.;월-래이스 리차드 엘.;허드슨 지.디. 스테판
分类号 H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/068;H01L31/18 主分类号 H01L31/0352
代理机构 代理人
主权项
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