| 主权项 |
1﹒一种焊溅装置,其中,备有真空容器,和被配置在该真空容器内,在其表面将被成膜的基片,和与该基片被对向配置而成为应成膜的母材之溅靶,在与前述基片对向边的前述真空容器壁面设置开口部,同时在前述真空容器将与前述开口部连通之溅靶更换室予以邻接配置,使前述溅靶焊溅而飞散的焊溅粒子堆积在前述基片面上予以成膜。在成膜时,将该开口部以前述溅靶堵塞而使真空容器内保持真空状态,同时,在更换溅靶时将前述溅靶更换室予以真空排气而保持真空状态,将前述溅靶与备用溅靶予以更换者。2﹒一种焊溅装置,其中,备大真空容器,和被配置在该真空容器内,在其表面将被成膜的基片,和与该基片被对向配置而成为应成膜的母材之溅靶,在与前述基片对向边的前述真空容器壁面设置开口部,使前述溅靶焊溅而飞散的焊溅粒子堆积在前述基片面上予以成膜。在成膜时,将该开口部以前述溅靶堵塞一方面,将前述成膜时被开放大气,而在更换溅靶时则被真空排气而被保持真空状态,在内部被收容备用溅靶的溅靶更换室,使一部份能位于前述真空容器之开口部地予以邻接配置者。3﹒一种溅靶更换装置,其中,具有真空容器,和被配置在该真空容器内,在其表面将被成膜的基片,和与该基片被对向配置而成为应成膜的母材之溅靶所成,有被邻接配置在成膜的溅靶更换室,该溅靶更换室,系在成膜时被与前述成膜室以溅靶被遮断,在溅靶更换时以前述溅靶的与成膜室之遮断被开放而成为真空状态者。4﹒如申请专利范围第3项所述之溅靶更换装置,其中,在前述溅靶更换室内,备有将更换用溅靶面上予以加热而进行排气之加热器者。5﹒如申请专利范围第3项所述之溅靶更换装置,其中,在前述溅靶更换室内,备有将更换用溅靶面上予以清洁之预焊溅机构者。6﹒如申请专利范围第3项所述之溅靶更换装置,其中,备有将在前述成膜室位置的溅靶予以支持,在溅靶更换时使前述溅靶下降到被设置在前述溅靶更换室内的上边之溅靶移动用铁轨上,同时将以下边的溅靶移动用铁轨被搬来的更换用溅靶予以支持,使之上升到前述成膜室的所定位置之能上下移动的溅靶支持台者。7﹒一种溅靶更换方法,其中,在更换将成为在真空容器内的基片面上使被焊溅而飞散之粒子堆积成膜的母材,在成膜时形成前述真空容器之一部份的前述溅靶时,将被邻接配置在前述真空容器之溅溅靶更换室使之真空排气成为真空状态,以此状态将事先被收容在溅靶更换室内的更换用溅靶与形成前述真空容器的一部份之溅靶予以更换者。8﹒如申请专利范围第7项所述之溅靶更换方法,其中,把事先被收容在前述溅靶更换室的更换用溅靶以加热器加热而进行排气后,与形成前述真空容器的一部份之溅靶予以更换者。9﹒如申请专利范围第7项所述之溅靶更换方法,其中,把事先被收容在前述溅靶更换室的更换用溅靶以预焊溅机构予以清洁后,与形成前述真空容器的一部份之溅靶予以更换者。10﹒一种焊溅装置,其中,备有真空容器,和被配置在该真空容器内,在其表面将被成膜的基片,和与该基片被对向配置而成为应成膜的母材之溅靶板,为了在该溅靶板形成磁控管磁场,设在溅靶板背面的磁场产生手段,为了冷却溅靶板之冷却水导入部所成的溅靶电极,在与前述基片对向边之前述真空容器壁面设置开口部,同时在前述真空容器将与开口部连通的溅靶电极更换室予以邻接配置,使前述溅靶焊溅而飞散的焊测粒子堆积在前述基片面上而成膜,在成膜时将前述开口部以前述溅靶电极堵塞而使真空容器内保持真空状态,同时,在更换溅靶电极时,将前述溅靶电极更换压予以真空排气而保持真空,将前述溅靶电极与备用溅靶电极予以更换者。11﹒一种焊溅装置,其中,备有真空容器,和被配置在该真空容器内,在其表面将被成膜的基片,和与该基片被对向配置,成为应成膜的母材之溅靶板,为了在该溅靶板形成磁控管磁场,设在溅靶板背面的磁场产生手段,为了冷却溅靶板之冷却水导入部所成的溅靶电极,在与前述基片对向边之前述真空容器壁面设置开口部,将该开口部以前述溅靶电极堵塞,一方面,使前述溅靶焊溅而飞散的焊溅粒子堆积在前述基片面上而成膜,在成膜时被开放大气,而在更换溅靶电极时将被真空排气而被保持真空状态,将内部被收容中溅靶板,磁场产生手段,冷却水导入手段所成的备用溅靶电极之溅靶电极更换室,使其一部份位于前述真空容器的开口部地予以邻接配置者。12﹒一种溅靶更换装置,其中,在备有真空容器,和被配置在该真空容器内,在其表面将被成膜的基片,和与该基片被对向配置,成为应成膜的母材之溅靶板,为了在该溅靶板形成磁挖管磁场,设在溅靶板背面的磁场产生手段,为了冷却溅靶板之冷却水导入部所成的溅靶电极之成膜室有被邻接配置的溅靶电极更换室,将溅靶电极更换室,系在成膜时与前述成膜室以溅靶电极被遮断,而在溅靶电极更换时,则以前述溅靶电极与成膜室之遮断将被开放而在真空状态者。13﹒一种溅靶电极更换方法,其中,将由在真空容器内的基片面上被焊溅而飞散之粒子予以堆积成膜的母材之溅靶板。为了在该溅靶板表面形成磁控管磁场,设在溅靶板背面的磁场产生手段,为了将磁靶板冷却之冷却水导入部所成,在更换成膜时形成前述真空容器的一部份之前述溅靶电极时,将被邻接配置在前述真空容器的溅靶电极更换室予以真空排气成真空状态,以此状态将事先被收容在溅靶电极更换室内的由溅靶板,磁场产生手段,冷却水导入部所成之更换用溅靶电极与前述形成真空容器的一部份之溅靶电极予以更换者。14﹒一种焊溅装置,其中,在被收容于第1室的基片表面,将与此对向配置之溅靶予以焊溅而将飞散的粒子使之堆积进行成膜,并且,该第1室系经常在真空状态,且在以前述溅靶与第1室被隔离的第2室内部被收容更换用之备用溅靶,前述第2室系至少在将前述溅靶与备用溅靶予以更换时被保持真空状态者。15﹒一种线上型焊溅装置,其中,备有以内部为大气开放状态将基片装入,其后,内部被真空排气的装入室,和将该装入室真空排气后,将该装入室内的前述基片以搬送机构予以搬送,将该基片以设在内部的加热装置予以加热而进行排气之加热室,和将从该加热室被搬送到的前述基片的表面予以焊溅而清洁的清洁室,和在从该清洁室被搬来的前述基片之表面,由将溅靶焊溅而将飞散的焊溅粒子使之堆积成膜的成膜室,和在该成膜室被成膜的基片被搬送,将其基片冷却之冷却室,和将在冷却室被冷却的基片取出外部之取出室,在前述成膜室的一部份设置开口部,同时将与该开口部连通的溅靶更换室与前述成膜室邻接配置,在成膜时将前述开口部以前述溅靶堵塞,把内部保持真空状态者。16﹒一种线上型焊溅装置,其中,备有以内部为大气开放状态将基片装入,其后,内部被真空排气的装入室,和将该装入室真空排气后,将该装入室内的前述基片以搬送机构予以搬送,将该基片以设在内部的加热装置予以加热而进行排气之加热室,和将从该加热室被搬送到的前述基片的表面予以焊溅而清洁的清洁室,和在从该清洁室被搬夹的前述基片之表面,由将溅靶焊溅而将飞散的焊溅粒子使之堆积成膜的成膜室,和在该成膜室被成膜的基片被搬送,将其基片冷却之冷却室,和将在冷却室被冷却的基片取出外部之取出室,在前述成膜室的一部份设置开口部,当成膜时将该开口部以前述溅靶予以堵塞,一方面,把成膜时被开放大气,而在更换溅靶时则被真空排气被保持真空,在内部被收容有备用溅靶的溅靶更换室,使其一部份位于前述成膜室之开口部地予以邻接配置者。17﹒一种线上型焊溅装置,其中,备有以内部为大气开放状态将基片装入,其后,内部被真空排气的装入室,和将该装入室真空排气后,将该装入室内的前述基片以搬送机构于以搬送,将该基片以设在内部的加热装置予以加热而进行排气之加热室,和将从该加热室被搬送到的前述基片的表面予以焊溅而清洁的清洁室,和在从该清洁室被搬来的前述基片之表面,由将溅靶焊溅而将飞散的焊溅粒子使之堆积成膜的成膜室,和在该成膜室被成膜的基片被搬送,将其冷却之冷却室,和将在冷却室被冷却的基片取出外部之取出室,而在前述清洁室与成膜室的背面设置溅靶更换室,系与述清洁室以闸阀被隔离,而成膜室则以溅靶被隔离者。18﹒如申请专利范围第17项所述之线上型焊溅装置,其中,在前述溅靶更换室,设有能够取出溅靶架及更换后的前述溅靶之门者。19﹒一种线上型焊溅装置之溅靶更换方法,其中,系由将装载在溅靶架的溅靶装入到装入室之工程,和将该装入室真空排气后,以搬送机构将溅靶架移动到加热室,在该加热室和基片的排气一样,把溅靶表面加热而进行溅靶的排气之工程,和其后移动到焊溅清洁室,也和基片的清洁一样地进行溅靶表面之清洁的工程,和清洁终了后,此次则将溅靶更换室内予以排气,打开溅靶更换室与焊溅清洁室的隔离阀,移动到溅靶更换室内之工程,和移动后,关闭隔离阀,在此,以溅靶支持具只把溅靶从溅靶架拆卸,降低到溅靶安装水准的高度之工程,和将溅靶移到成膜室后边,把溅靶予以更换之工程,和更换溅靶后使溅靶更换室回复大气,取出拆卸的测靶及溅靶架之工程所成者。20﹒一种线上型焊溅装置之溅靶更换方法,其中,系由将溅靶架装入到装入室的工程,和将该装入室予以真空排气后,以搬送机构将溅靶架移到加热室,接着移动到清洁室,成膜室的工程,和在该成膜室更换溅靶时,保持该成膜室的真空,同时将具有溅靶固定在溅靶架的机能之溅靶更换模子安装在成膜室的工程,和由前述溅靶更换模子,把溅靶固定在前述溅靶架的工程,和将装载该溅靶之前述溅靶架以搬送机构送到冷却室,取出室而取出该溅靶的工程,和将装载在溅靶架之溅靶装入到装入室的工程,和将该装入室予以真空排气后,以搬送机构将溅靶架移动到加热室,在该加热室与基片的排气一样,将溅靶表面加热而进行溅靶的排气之工程,和其后,移动到焊溅清洁室,也和基片的清洁一样地进行溅靶表面之清洁的工程,和在清洁终了后,移动到溅靶更换室内之工程,和移动后,在此,以溅靶更换模子,只将溅靶从溅靶架予以拆卸,将溅靶固定在成膜室之工程,和只将前述溅靶架移动到冷却室,取出室,把溅靶架取出之工程,和将前述溅靶更换模子拆卸之工程所成者。图示简单说明第1图为显示本发明的焊溅装置之一实施例的直剖面图。第2图为溅靶电极安装状态之详细图第3图(a)为显示溅靶电极垂直方向的安装情况之一实施例的部份剖面图。第3图(b)为溅靶电极更换后之部份剖面图。第4图(a)为显示线上型焊溅装置的概略构成之平面图。第4图(b)为其侧面图。第5图(a)为显示线上型焊溅装置的一实施例之平面图。第5图(b)为溅靶更换室部份的侧面图。第6图(a)为线上型焊溅装置的其他实施例之侧面图。第6图(b)为溅靶更换后的侧面图。 |
