| 主权项 |
1﹒一种用以制造下式化合物之方法:式中R为1至10碳原子之卤烷基,R1为氢或1至4碳原子之低分子烷基,而R2为氢或1至4碳原子之低分子烷基;该制法包含:将一化学式为式中R1及R2均如上定义之化合物,用一化学式为R─C─X(III)式中X为卤原子而R如上定义之卤化醯,于约0至15之温度及有一缓冲剂存在时加以处理,所述缓冲剂系由弱硷及弱酸之盐类所成集团中选出,其存在量以化合物(II)之份量为准约为50至250摩尔%以维持酸硷度(pH)约为5至12。2﹒如申请专利范围第1项之制法,其中所述缓冲剂系自弱硷之盐类中选出。3﹒如申请专利范围第1项之制法,其中所述盐类为碳酸盐类或磷酸盐类。4﹒如申请专利范围第1项之制法,其中所述制法于约2至10之温度发生。5﹒如申请专利范围第1项之制法,其中R为以1至3个自溴及氯中取出之卤素取代之1至5碳原子低分子卤烷基。6﹒如申请专利范围第1项之制法,其中R1为甲基或乙基而R2为氢、甲基或乙基。7﹒如申请专利范围第1项之制法,其中R为二氯甲基而R1及R2各为甲基。8﹒一种用以制造并提纯下式化合物之方法:式中R为1至10碳原子之卤烷基,R1为氢或1至4碳原子之低分子烷基,而R2为氢或1至4碳原子之低分子烷基;该制法包含:(1)将一化学式为式中R1及R2均如上定义之化合物,用一化学式为R─C─X(III)式中X为由原子而R如上定义之卤化醯,于约0至15之温度及有一缓冲剂存在时加以处理,所述缓冲剂系由弱硷及弱酸之盐类所成集团中选出,其存在量以化合物(II)之份量为准约为50至250摩尔%以维持酸硷度(pH)约为5至12;然后;(2)用一强硷清洗该粗生成物,所述强硷系自氢氧化钠、氢氧化铵及氢氧化钾中选出。 |
