NONVOLATILE MEMORY DEVICE OPERATING METHOD THEREOF AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

摘要

본 발명은 기판 및 기판과 교차하는 방향으로 적층된 복수의 메모리 셀들을 포함하는 불휘발성 메모리 장치의 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 동작 방법은 복수의 스트링 선택 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 소거하는 단계, 그리고 소거된 복수의 메모리 셀들을 각 스트링 선택 라인의 단위로 소거 검증하는 단계로 구성된다.