制成自我对齐双载子或场效电晶体之方法

摘要

一种制成自我对齐松载子或场效电晶体之方法，以一高掺杂浓度且具一种传导特性型导电层在单晶半导体与上相相反转导特性之基体上制成，此导电层可能是复晶矽，矽化钨，氮化钛或类似材质，绝缘层在导电层之上面制成，由导电层至半导体基体，在电晶体第一个元件最少位置中制成大致垂直侧壁之缺口，此结构被加热，从导电层向外扩散以制成具一种传导特性之该电晶体第二元件之高掺杂浓度部份，控制所氧化基体及导电层侧壁露出之部份，直至电晶体第二元件之高掺杂浓度部份所需之低掺杂浓度部份在氧化半导体基体上制成为止，此第二元件为双载子电晶在其上制成之基极及扬效电晶体在其上制成之源极／泄极，一固定厚度绝缘层沉积生成于整个导电层及氧化基体上之隔离层，再从表面选择除去绝缘层，只在大致垂直侧壁上留下侧壁绝缘层，此积极电路完成后并做适当的电气接触点于积体电路电晶体元件上。