| 发明名称 | 一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种半导体芯片技术领域，公开了一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO<sub>2</sub>隔离介质、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述N+衬底区上面设有N‑外延层，所述N‑外延层上设有肖特基接触区和SiO<sub>2</sub>隔离介质，所述N+衬底区下面设有欧姆接触区，其特征在于：所述N‑外延层和肖特基接触区之间设有多个环状浮点型P+注入区。本实用新型的优点：在传统JBS器件结构基础上引入环状浮点型P+结构，增大有源区肖特基接触面积，增大导通路径，提高器件的正向导通电流，降低导通电阻，而反向漏电流增加并不明显，解决缓解了器件正向导通电阻和反向击穿电压相互制约矛盾等问题。 | ||
| 申请公布号 | CN205621743U | 申请公布日期 | 2016.10.05 |
| 申请号 | CN201620264475.6 | 申请日期 | 2016.04.01 |
| 申请人 | 江苏捷捷微电子股份有限公司 | 发明人 | 王成森;沈怡东;钱清友;张超;周榕榕;黎重林;薛治祥;颜呈祥 |
| 分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人 | 卢海洋 |
| 主权项 | 一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO<sub>2</sub>隔离介质、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述N+衬底区上面设有N‑外延层，所述N‑外延层上设有肖特基接触区和SiO<sub>2</sub>隔离介质，所述N+衬底区下面设有欧姆接触区，其特征在于：所述N‑外延层和肖特基接触区之间设有多个环状浮点型P+注入区。 | ||
| 地址 | 226200 江苏省南通市启东科技创业园兴龙路8号 | ||