半导体气相外延的减压方法及系统

摘要

一种半导体气相外延的减压方法及系统。方法特征是外延气压在10～500托下进行外延生长，反应后的气体被抽走。系统特征包括出水管、喷水腔组成的水抽气射流循环装置。出水管的喷水嘴在喷水腔内。反应室与排气管间设置了真空压力计、调节截止阀，排气管出气口接入喷水腔。该方法及系统具有降低外延生长温度、抑制自掺杂，提高外延层厚度和电阻率均匀性等效果；并具有气流＞10升/分，压力10～500托能长时间工作，排气量大、耐腐蚀等优点。

主权项

1、一种半导体气相减压外延的减压方法，其中包括硅源气、氢气、掺杂气一起以＞10升/分经射频加热线圈加热分解，淀积在衬底上生成的外延层，本发明的特征在于所述硅源气、氢气、掺杂气一起在10～500托气压下进行外延生长，反应后的气体由水抽气射流循环装置抽走。