| 主权项 |
1.制造半导体装置之一种方法,此方法包括 提供在一主表面上设有于半导体本体埋设 区上界定半导体本体台阶之半导体本体, 于台阶侧壁上提供保护绝缘层,在台阶侧 壁附近之一表面上之范围内提供绝缘区, 在绝缘区上台阶侧壁附近界定一有杂质掺 杂之矽区,及促使掺杂剂杂质由掺杂矽区经由台阶侧壁窗口区至装置区,以界定装 置区内之接触区以接触装置区内之装置区 ,其特点,在界定掺杂矽区前,为使矽淀 积于一表面上而使在台阶侧壁上有保护绝 缘层,以在一表面上之该区内界定一中间 矽区,此区与台阶侧壁所隔离,并使侧壁 窗口区外露,使侧壁外露窗口区之保护绝 缘层消除,然后淀积矽以界定掺杂矽区。2.根据申请专利范围第1项之方法,其进一 步特点为使杂质杂中间矽区。3.根据申请专利范围第2项之方法,其进一步特点为经由使矽淀积成层以界定中间矽 区,俾于一表面之所述区及台阶之侧壁和 上表面上提供矽区,使掺杂剂杂质引入矽 层内以使侧壁矽层受屏蔽而无掺杂剂杂质 ,并衣选择将未掺杂侧壁矽区消除。4.根据申请专利范围第3项之方法,其进一步特点为在遮蔽中间矽区后使上表面矽区 消除掉。5.根据申请专利范围第1,2,3或4项之 方法,其进一步特点为提供保护绝缘层作 为反氧化层。6.根据申请专利范围第5项之方法,其进一 步特点为使中间矽区氧化,俾于界定掺杂 矽区之前产生绝缘层。7.根据申请专利范围第5项之方法,其进一 步特点为在绝缘区上方淀积矽层,并于界 定掺杂矽区之前使中间矽区至少部份氧化 。8.根据申请专利范围第1或2项之方法,其 进一步特点为经由淀积矽层于所述区及台 阶之侧壁和上方表面上之方式以界定中间 矽区,在侧壁矽区提供反氧化遮蔽罩,使 所述区及上方表面上之外露矽区氧化,消 除反氧化遮蔽罩,及然后依选择消除侧壁 上之矽,俾界定中间矽区作为矽氧化物区 。9.根据申请专利范围第1或2项之方法,其 进一步特点为界定保护绝缘区成为有氧化 矽层遮覆之氮化矽层,于所述区之绝缘区 ,保护绝缘层及台阶上方表面上淀积一矽层,引入杂质至矽层内以使有保护层遮覆 之侧壁附近之矽区保持未受掺杂,依选择 消除未掺杂矽区俾界定所述区内之中间矽 区,利用余留之掺杂矽区作为遮蔽罩以消 除外露之氧化矽层,然后依选择消除掺杂 矽区及利用氧化矽层之余留部份作为遮蔽 罩从而消除外露氮化矽,及然后于绝缘区界定掺杂矽区,而使掺杂矽区之下半部份 与台阶侧壁相隔离。10.根据申请专利范围第1,2,3或4项 之方法,其进一步特点为经由淀积另一矽 层以遮覆所述一表面区及台阶侧壁和上表 面之方式以界定掺杂矽区,引入杂质至另 一矽层内,以使另一矽层之侧壁矽区保持 不受掺杂并依选择使另一矽层之未掺杂侧 壁区予以消除。11.根据申请专利范围第2或3项之方法, 其进一步特点为经由淀积另一矽层以遮覆 掺杂中间矽区及台阶侧壁和上表面之方式而界定掺杂矽区,使杂质由中间矽区扩散 至另一矽层上方区内,并依选择消除另一 矽层之未掺杂区而留下已掺杂之矽区。12.根据申请专利范围第1,2,3或4项 之方法,其进一步特点为经由多晶矽淀积方式提供掺杂及中间矽区中至少其一。13.根据申请专利范围第1,2,3或4项 之方法,其进一步特点为经由非晶矽淀积 方式提供中间矽区。14.根据申请专利范围第1,2,3或4项 之方法,其进一步特点为在装置区内界定 基极和射极区,因此接触区使使基极区与 掺杂矽区相接触,而埋设区至少构成半导体装置集极区之至抵限度其一部份。 |
