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发明名称 SUBSTRATE TO BE WORKED AND ANISOTROPIC ETCHING OF SILICON
摘要
申请公布号 JPH03253025(A) 申请公布日期 1991.11.12
申请号 JP19900049423 申请日期 1990.03.02
申请人 NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> 发明人 KOYABU KUNIO;WATANABE JUNJI
分类号 H01L21/22;H01L21/306 主分类号 H01L21/22
代理机构 代理人
主权项
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