半导体装置

摘要

一种半导体装置包含：设于半导体基板上之具有低杂质浓度之第一个半导体层；设于此第一个半导体层上而且与此第一个半导体层形成异质接合之具有第一种导电型式之第二个半导体层；设于上述第一个及第二个半导体层中之射极领域及集极领域；设于此射极领域及集极领域之间之至少上述第二个半导体层中之具有第二种导电型式之半导体领域；将上述射极领域及上述集极领或与上述半导体领域之间之上述第一个半导体层内之上述异质接合所邻接之部份引起之二向度电子云层当做电流通路使用，而且，将上述射极领或与上述半导体领域加以顺向偏压，藉此，利用由此半导体领域注入上述第一个半导体层内之多数载子在上述半导体领域下方之上述第一个半导体层中形成假想基极领域，以执行双极电晶体操作为特征。

主权项

一种半导体装置,其特征包括:设于半导体基板上具有低杂质浓度之第一个半导体层;设于此第一个半导体层上而且与此第一个半导体层形成异质接合之第一种导电型之第二个半导体层:设于上述第一个及第二个半导体层中且横穿过上述异质接合射极领域及集极领域;设于此射极领域及集极领域之间之第一与第二个半导体层中且横穿过上述异质接合之第二种导电型之半导体领域;俾将射极领域及集极领域与上述半导体领域之间之上述第一半导体层中在邻接于异质接合之部份所引起之二向度电子云层当做电流通路使用,以便当将射极领域与上述半导体领域加以顺向偏压时,藉由此半导体领域注入第一个半导体层内之多数截子,在上述半导体领域下方之第一个半导体层中形成假