| 发明名称 | 铋系复合氧化物超导薄膜的成膜方法 | ||
| 摘要 | 利用物理沉积法在基板上将至少含有铋和铜的复合氧化物制成薄膜的成膜方法，其特征是成膜时的基板温度在670～750℃范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN1018311B | 申请公布日期 | 1992.09.16 |
| 申请号 | CN89107753.7 | 申请日期 | 1989.08.28 |
| 申请人 | 住友电器工业株式会社 | 发明人 | 桧垣贤次郎;原田敬三;藤森直治;糸崎秀夫;矢津修示 |
| 分类号 | H01L39/24;H01B12/06 | 主分类号 | H01L39/24 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人 | 段承恩 |
| 主权项 | 1.在含氧气氛中利用物理沉积法在MgO基板上将至少含有铋和铜的复合氧化物制成超导薄膜的成膜方法，其特征是，在670-750℃范围内加热的MgO基板之{110}面上成膜。 | ||
| 地址 | 日本大阪市 | ||