| 摘要 |
본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드는, 제1 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되고, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 메사; 상기 메사 상에 위치하여 제2 도전형 반도체층에 오믹 콘택하는 반사 전극; 상기 메사 및 반사 전극 상에 위치함과 아울러, 상기 제1 도전형 반도체층에 오믹콘택하는 전류 분산층; 상기 메사 및 반사 전극과 상기 전류 분산층 사이에 배치되어 상기 전류 분산층을 상기 메사 및 반사 전극으로부터 절연시키는 하부 절연층; 및 상기 전류 분산층을 덮되, 상기 메사 영역 상부에서 상기 전류 분산층을 노출시키는 제1 개구부를 가지는 상부 절연층을 포함하고, 상기 전류 분산층의 일부는 상기 제1 도전형 반도체층의 일측 가장자리 근처에서 상기 제1 도전형 반도체층에 오믹 콘택한다. |
