| 主权项 |
1.一种极低电阻材料,其特征为含有一种尖晶石结构之结晶,该结晶包括有周期表中第Ⅱ类主族之一种元素镁及第IVB类主族之一种元素钛。2.如申请专利范围第1项之极低电阻材料,其中该结晶含有固熔体系Mg2TiO4-Mg2TiO4。3.如申请专利范围第1项之极低电阻材料,其特征为含有一些具有平均钛原子价为xx=(4-2y)/(y+1)之Mg2-Ti1+yO4成份之样本。4.如申请专利范围第3项之极低电阻材料,其中钛之平均原子价系实质上等于3.3。5.一种制造极低电阻材料之方法,其特征为包括将适当数量之镁氧化物及钛氧化物及钛 拌研磨以作成锭片,其具有平均钛原子价xx=(4-2y)/(y+1)之Mg2-yTi1+yO4成份,接着将这些锭片于第一段时间加热到某一昇高的温度,保持这些锭片于该昇高温度经一第二段时间,再将这些锭片降温到室温经一第三段时间之步骤。6.如申请专利范围第5项之极低电阻的制造方法,其中该昇高之温度是1350℃7.如申请专利范围第5项之极低电阻的制造方法,其中该第一段时间是3小时8.如申请专利范围第5项之极低电阻的制造方法,其中该第二段时间是16小时9.如申请专利范围第5项之极低电阻的制造方法,其中该 |
