发明名称 显示装置
摘要 本创作系有关于在于显示面板的前面具备了反射防止之显示装置。具体言之,本创作系藉由显示装置的显示面板的外表上,形成一个以TiO2为主成份,而气孔率介于30%以上,75%以下且平均细孔径为100以下的多孔质薄作为下层膜;以及形成一个以含有至少一个以上之含氟基至少一个以上的矽氧烷结合之Si为主成份的薄膜作为上膜,藉此可容易地制造出一具备有充分防止反射效果之反防止膜之显示装置。
申请公布号 TW204019 申请公布日期 1993.04.11
申请号 TW081207486 申请日期 1991.02.23
申请人 东芝股份有限公司 发明人 伊藤武夫;松田秀三;清水和彦
分类号 G09F9/30 主分类号 G09F9/30
代理机构 代理人 林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1﹒一种显示装置,系属于在其显示面的前面上具备有:以TiO2为主成份之薄膜、并在该薄膜的表面上复形成有以具有1个以上的含氟基及1个以上的矽氧烷结合之Si为主成分之薄膜,之型式的显示装置,其特征为:上述以TiO2,为主成份之薄膜,系为具有细孔之多孔质薄膜,其气孔率为30%以上,75%以下,且细孔的平均直径为100A以下者。2﹒如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中,上述以TiO2为主成分之薄膜具有光选择性吸收滤光作用,且其吸收特性系为:在400-650nm的领域中,以57520nm的波长领域具有最大吸收波长,而且将对于波长为450nm,530nm,550nm,630nm吸最大吸收波长光之透过率份别订乌T450,T530,T550,T630,及Tmin时,可满足Tmin≦T550<T5301≦T450/T530≦21≦T630/T530≦20﹒7≦T450/T630≦1﹒43之关系者。3﹒如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中,上述具有1个以上的含氮基及1个以上的矽氧烷结合之Si为主成份之薄膜具有光选择性吸收滤光作用,且其吸收特性系为:在400-650nm的领域中,以57520nm的波长领域具有最大吸收波长,且将对于波长为450nm,530nm,550nm,630nm及最大吸收波长的光之透过率分别订为T450,T530,T550,T630,及Tmin时,可满足Tmin≦T550<T5301≦T450/T530≦21≦T630/T530≦20﹒7≦T450/T630≦1﹒43之关系者。4﹒如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中,上述以TiO2为主成份之薄膜系含有吸湿性的金属盐。5﹒如申请专利范围第1项所述之显示装置,其中,上述以具有1个以上的含氟基及1个以上的矽氧烷给合之Si为主成份的薄膜,复含有吸湿性金属盐。图示简单说明:第l图系本创作之一实施例的阴极射线管之部份剖面断面图;第2图系气孔率及折射率的关系所示之图表;第3图系显示反射率的测定方法之模式图;第4图系应用了本创作之阴极射线管之面屏上所形成之下层膜之模式图;第5图系应用了本创作之阴极射线管的面板上所形成之反射防止膜之模式图;第6图系本创作之一实施例之反射防止膜之滤光特性所示之特性图;第7图系气孔率与单独下层膜之膜强度的关系所示之图表;第8图系反射防止膜的气孔率与膜硬度的关系所示之图表;第9图系本创作之一实施例所示之液晶显示器之概略断面图。
地址 日本国神奈川县川崎巿幸区堀川町七十二番地