发明名称 光电隔离固态继电器
摘要 本创作系关于一种光电隔离固态继电器(OISSR), 包含一组发光二极体(LED)一个光电积体电路 (PVIC),以及一对金属氧化场效电晶体(MOSFET),以两组发光二极体相反极性平贴于一片可穿透红外线之氧化铝层而再对应于光电积体电路之空白区位置,光电积体电路之空白区外围设置多数呈串联连接之光电二极体阵列构造,致使发光二极体之光线透过光电积体电路之空白区而放射至外围的光电二极体上,提供较佳的光耦合效率,而光电积体电路之内部光电二极体阵列之总和输出电压即控制MOSFET的导通状态,达到电压控制之稳定性者。
申请公布号 TW204776 申请公布日期 1993.04.21
申请号 TW081210120 申请日期 1992.07.28
申请人 同欣电子工业股份有限公司 发明人 刘焕林
分类号 H01H63/00 主分类号 H01H63/00
代理机构 代理人 林镒珠 台北巿长安东路二段一一二号九楼
主权项 1﹒一种光电隔离固态继电器,包括一组两具两串接之发光二极体、一内含有若干数量之光电二极体串接阵列之光电积体电路及一对金属氧化场效电晶体所组成,其中两发光二极体系以相反极性排列附着于一具有厚膜导体之氧化铝基板上,以形成串接构造,而其各别的上方接点做为输入接点,该氧化铝基板则贴附于光电积体电路的中央位置,而设置于光电积体电路内之多数光电二极体系以串联围绕于中央外围位置,而中央位置形成空白区,而可透过发光二极体的发射光线穿透氧化铝基板以有效地投射至光电二极体位置,而光电积体电路之输出端与两金属氧化场效电晶体之闸源极连接,内场效电晶体之泄极及共源极形成三个输出端黜,构成一种光耦合效率高之固态继电器构造者。2﹒如申请专利范围第1项所述之光电隔离固态继电器,其中光电积体电路之输出电动势为内部各个光电二极体感应电动势之总和,可增减光电二极体之串接数量以改变其输出电动势之大小者。3﹒如申请专利范围第1项所述之光电隔离固态继电器,其中该光电积体电路内部则包含有前述光电二极体串接阵列构造及保护/快速放电之特殊线路,光电积体电路为在多晶状基底上形成若干数量之二氧化矽的袋口,每一袋口形成一光电二极体,每一二极体上有一薄的二氧化矽,在各光电二极体间则散布许多较厚的二氧化矽,每一个二极体包含有P型区组成阳极,而下层的N型区构成阴极,每一二极体各有一代表P型及N型之开口,而各开口上以铝金属导线连接各个相邻二极体之阳极及阴极,而构成串联之构造,而介于光电积体电路的两输出端间则设有用以快速放电及提供保护之电阻构造者。图示简单说明:第一图:系本创作之电路图。第二图:系第一图之实施例俯视、剖面图。第三图:系第二图输入端及二极体阵列之俯视、剖面图。第四图:系依第三图制出的金属氧化场效电晶体推动器(MOSFET DRlVER)示意图。第五图:系光电积电路的结构图,含光电二极体(PHOTO DIODE)阵列,快遂关闭装置及短路保护等装置之俯视图及剖面图。
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