| 摘要 |
<p>Es wird eine Verpolschutzanordnung für Leistungs-Endstufen-Transistoren mit einem in Reihe zum Endstufen-Transistor (10) invers gepolten Verpolschutz-FET (12) als Verpolschutzelement vorgeschlagen. Der Gate-Anschluß des Verpolschutz-FET (12) ist mit einer von der Versorgungsspannung abgeleiteten, diesen Verpolschutz-FET (12) bei korrekt gepolter Versorgungsspannung aufsteuernden Steuerspannung beaufschlagt. Durch Verwendung zweier Leistungstransistoren (10, 12) kann daher eine verpolgeschützte Endstufe gebildet werden, wobei der als Verpolschutzelement eingesetzte Verpolschutz-FET (12) nur geringe Spannungsverluste bei kleinem Einschaltwiderstand erzeugt.</p> |
