HYBRID-FINFET-/NANODRAHT-SRAM-ZELLE MITHILFE SELEKTIVER GERMANIUMKONDENSATION

摘要

Eine Halbleitereinheit, die einen pFET und einen nFET beinhaltet, wobei: (i) das Gate und der Leiterkanal des pFET gegenüber einer vergrabenen Oxidschicht elektrisch isoliert sind; und (ii) der Leiterkanal des nFET die Form einer Finne aufweist, die sich von der vergrabenen Oxidschicht aufwärts erstreckt und mit dieser in elektrischem Kontakt steht. Darüber hinaus ein Verfahren zum Herstellen des pFET durch Hinzufügen einer Finnenstruktur, die sich von der oberen Fläche der vergrabenen Oxidschicht erstreckt, anschließendes örtliches Kondensieren von Germanium in die Gitterstruktur des unteren Abschnitts der Finnenstruktur und anschließendes Wegätzen des unteren Abschnitts der Finnenstruktur so, dass er zu einem Trägerkanal wird, der oberhalb der vergrabenen Oxidschicht freihängend ist und gegenüber dieser elektrisch isoliert ist.