| 主权项 |
1﹒一种制造电荷移转装置之方法,包括下列之步骤:预备一第一种传导型之半导体基板;在上述第一种传导型之半导体基板上方,依序形成一第二种传导型之杂质层、一第一绝缘层与一半导体层;将上述半导体层模型化(patterning),以形成相同间隔土半导体层模型;在形成半导体层模型后,在其结果之所有外露表面上方形成一第二绝缘层,并将第一种传导型之杂质离子植入第二种传导型之杂质层,以作为第一种传导型之相同间隔之杂质层;在形成第一种传导型之杂质层后,在其结果之所有外露表面上方形成一具平滑表面之第二绝缘层,再将第三绝缘层以蚀刻之方式蚀刻至半导体层模型之最上方表面;将半导体层模型与第三绝缘层之残存部份除去;在留存之第二绝缘层全部表面上,依序形成一传导层与一第四绝缘层,以提供一平滑之表面;将上述结果蚀刻至第二绝缘层之最上方,以形成若干个分离之传导层模型,并作为移动电极,此时结果之最上方包括有各别之预定深度之第四绝缘层、与传导层及第,绝缘层;除去各别传导层模型上方之第四绝缘层;以及最后在结果之全部外露表面上方形成一第五绝缘层。2﹒根据申请专利范围第1项之制造电荷移动装置之方法,其中形成第二种传导型杂质层之步骤包括:在第一种传导型之半导体基板表面植入第二种传导型之杂质离子;以及在第一种传导型之半导体基板上,将第二种传导型之杂质离子扩散至一预定之深度。3﹒如申请专利范围第1项之制造电荷移动装置之方法,其中形成第二种传导型杂质层之步骤包括:在第一种传导型之半导体基板上形成另一种半导体层;以及在另一种半导体层之表面,植入第二种传导型之杂质离子,同时形成另一种半导体层。4﹒如申请专利范围第1项之制造电荷移转装置之方法,其中半导体层之材料为多晶矽(polycrystaliinesilicon)。5﹒根据申请专利范围第1项之制造电荷移动装置之方法,其进一步包括以乾燥蚀刻法,利用半导体层模型作为光罩,以蚀刻第一绝缘层,并于除去第一绝缘层外露之部份后,形成第二绝缘层。6﹒根据申请专利范围第1项之制造电荷移动装置之方法,其中第一与第二绝缘层之形成,系以热氧化法(thermallyoxidizing)分别施加于第一种传导型之半导体基板,以及任一半导体模型。7﹒根据申请专利范围第1项之制造电荷移动装置之方法,其中第三第四,第五绝绿层所使用之各别材料可为一种含磷之硼矽玻璃,一种含矽的玻璃与光刻胶。8﹒根据申请专利范围第1项之制造电荷移动装置之方法,其中每一半导体层模型均具有与第一种传导型之半导体基板表面相互垂直之侧表面。9﹒根据申请专利范围第1项之制造电荷移动装置之方法,其中传导层之材料为一金属,一种透明之电极材料与一掺有杂质之半导体材料。10﹒根据申请专利范围第9项之制造电荷移动装置之方法,其中之金属系铝与钨。11﹒根据申请专利范围第9项之制造电荷移动装置之方法,其中透明之电极材料系一种铟与锡之氧化物(indiumtinoxide)。12﹒根据申请专利范围第9项之制造电荷移动装置之方法,其中半导体材料为多晶矽(polycrystallinesilicon)。13﹒一种制造电荷移转装置之方法,其步骤包括:预备一第一种传导型之半导体基板;在上述第一种传导型之半导体基板上方,依序形成一第二种传导型之杂质层、一第一绝缘层与一半导体层将半导绝层模型化,以形成用同间隔之半导体层模型;在形成半导体层模型后,在其结果之所有外露表面上方形成一第二绝缘层,并将第一种传导型之杂质离子植入第二种传导型之杂质层,以作为第一种传导型之相同间附上杂质层;在形成第一种传导型之杂质层后,在其结果之所有外露表面上方形成一具平滑表面之第三绝缘层,再将第三绝缘层以蚀刻之方式至半导体层模型之最上方表面;将半导体层模型与第三绝缘层之残存部份除去;外所行之第二绝缘层全部表面上,依序形成一传导层与一第四绝缘层,以提供一平滑之表面;将第四绝缘层蚀刻预期之深度,直至每一传导层之最上端分别裸露;除去每一传导层之最上端部份,以形成复数个分离之传导层模型;除去每一个别之传导层模型上方之第四绝缘层之残存部份;以及外除去第四绝缘层后之所有全露表面上方,形成一第五绝缘层。14﹒根据申请专利范围第13项之制造电荷移动装置之方法,其中形成第二种传导型杂质层之步骤包括:将第二种传导型之杂质离子,植入第一种传导型半导体基板;以及将第一种传导型半导体基板内之第二种传导型之杂质离子,扩散至一预定深度。15﹒根据申请专利范围第13项之制造电荷移动装置之方法,其中形成第二种传导型杂质层之步骤包括:在第一种传导型半导体基板上形成另一半导体层;以及在另一半导体层上表面,植入第二种传导型之杂质离子,同时形成另一半导体层。16﹒根据申请专利范围第13项之制造电荷移动装置之方法,其中半导体层之一种材质是多晶矽。17﹒根据申请专利范围第13项之制造电荷移动装置之方法,其进一步包括以乾燥蚀刻法利用半导体层模型作为光罩,以蚀刻第一绝缘层,并于除去第一绝缘层之外露部份后,形成第二绝缘层。18﹒根据申请专利范围第13项之制造电荷移动装置之方法,其中第一与第二绝缘层之形成,系以热氧化法分别施加于第一种传导型之半导体基板,以及任一半导体模型。19﹒根据申请专利范围第13项之制造电荷移动装置之方法,其中第三,第四、第五绝缘层所使用之各别材料可为一种含磷之硼矽玻璃、一种含矽之玻璃与光刻胶。20﹒如申请专利范围第13项之制造电荷移转装置之方法,其中每一半导体层模型均具有与第一种传导型之半导体基板表面相互垂直之侧表面。21﹒如申请专利范围第13项之制造电荷移转装置之方法,其中传导层之材料为一金属、一种透明之电极材料与一掺有杂质之半导体材料。22﹒如申请专利范围第21项之制造电荷移转装置之方法,其中之金属系铝与钨。23﹒如申请专利范围第21项之制造电荷移转装置之方法,其中透明之电极材料系一种铟与锡之氯化物。24﹒如申请专利范围第21项之制造电荷移转装官之方法,其中半导体材料是多晶矽。25﹒如申请专利范围第13项之制造电荷移转装置之方法,其中除去传导层外露之最上端部份,系使用湿式蚀刻法(wetetcningmethod)。图示简单说明由第1a图连续至第1q图为依据本发明之一种制造电荷移转装置之方法之剖面示意图。由第2a图连续至第2f图所示为习用之一种制造电荷移转装置之方法之剖面示意图。由第3a图连续至第3d图所示为习用之另种制造电荷移转装置之方法之剖面示意图。由第4a图连续至第4g图所示为习用之又一种制造电荷移转装置之方法之剖面示意图。由第5a、5b图所示为用以解释习用技艺中所发生位墙(p0tential barrier)时之状况示意图。由第5c、5d图所示为用以解释习用技艺中所发生位袋(potential pocket)时之状况示意图。 |
