改良型射极接触结构之非自我对准单复晶矽双载子接面电晶体

摘要

电流驱动能力受限于高射极串联电阻是传统的非自我对准、单复晶矽射极双载子接面电晶体最大缺点。本创作改善此型元件之射极复晶矽接触结构、无须增加任何制程就可得低射极串联电阻元件，电流驱动能力及截止频率亦有显着改善；可得性优异之单复晶矽双载子接面电晶体。

主权项

1﹒一种射极接触结构之非自我对准单复晶矽双载子接面电晶体,其中之射极复晶矽跨于基极、集极间的场氧化层上,射极接触窗则直接置于此复晶矽上以缩短射极电流路径。2﹒如申请专利范围第1项所述之结构,包含了垂直的NPN及PNP型之单复晶矽射极双载子接面电晶体。图示简单说明图一(a)为习知的非自我对准、单复晶矽射极双载子接面电晶体之布局图。图一(b)为图一(a)的剖面图。图二(a)为本创作之非自我对准、单复晶矽射极双载子接面电晶体之布局图。图二(b))为图二(a)的剖面图。图三为简单的制程流程。图四为习知与本创作之BJT的集极电流,基极电流对基极电压特性之比较,其中A为习知的BJT,B为本发明的BJT。图五为此二种BJT的高频特性比较。图六为此二种BJT射极串联电阻(re)的比较,定义normaliZed re 为:不同射极面积BJT的re最小射极BJT的re图七为单位射极面积驱动电流(JKf)之比较。