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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mittels einer Maske und Resistmaterial für dieses Verfahren.
摘要
申请公布号 DE3788307(D1) 申请公布日期 1994.01.13
申请号 DE19873788307 申请日期 1987.04.30
申请人 FUJITSU LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 FUJIMURA, SHUZO, EDOGAWA-KU TOKYO 133, JP;YANO, HIROSHI, YOKOHAMA-SHI KANAGAWA 241, JP
分类号 H01L21/30;G03F7/022;G03F7/26;H01L21/027;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/312;(IPC1-7):H01L21/312;G03C1/72 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人
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