| 发明名称 | 一种半导体扩散区结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种非均匀扩散区结构及其制造方法，该扩散区的纵剖面是一个或多个尖峰状突起结构。本发明是通过将所需大面积扩散区窗口，按一定要求用光刻的方法在扩散窗口内设置多个介质层细条，然后在掺杂扩散过程中得到所需的大面积有尖峰状突起的连续的非均匀扩散区。它可用于各种使用扩散区的半导体器件的制造，也可用于设计新型器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1084316A | 申请公布日期 | 1994.03.23 |
| 申请号 | CN93111592.2 | 申请日期 | 1993.07.24 |
| 申请人 | 程铭 | 发明人 | 程铭 |
| 分类号 | H01L21/04;H01L21/22 | 主分类号 | H01L21/04 |
| 代理机构 | 扬州市专利事务所 | 代理人 | 薛平 |
| 主权项 | 1、一种半导体扩散区结构，其特征在于扩散区的纵剖面是带有一个或多个尖峰状突起的连续的非均匀扩散区深度结构，且在二次窗口内表面浓度是非均匀的。 | ||
| 地址 | 225001江苏省扬州市徐凝门街105-2号 | ||