| 主权项 |
1﹒一种薄膜电晶体,系包括: 一闸电极,系形成在一基底上; 一闸绝缘膜,系覆盖前述闸电极; 一半导体层,系在前述闸绝缘膜上形 成一通道区域; 一通道保护层,系形成在中央附近之 半导体层上;及 一泄电极及一源电极,系分别自前述 保护层之右左侧沿着前述半导体层向右左 方向延伸, 其中前述通道保护层具有倾斜的右左 侧面,而为了防止漏泄及提供电阻接触, 该半导体层与源、泄电极接触并在前述通 道保护层之倾斜侧面之足部正下面掺杂有 杂质。 2﹒依据申请专利范围第1项所述之薄膜电晶 体,其中由通道保护层及半导体层之倾斜 侧面所形成之倾斜角范围为10至50。 3﹒依据申请专利范围第1项所述之薄膜电晶 体,其中通道保护层之厚度系1,000至, 3,000 A之范围内。 4﹒依据申请专利范围第1项所述之薄膜电晶 体,其中该通道保护层系由SiNx或SiO2所 形成。 5﹒依据申请专利范围第1项所述之薄膜电晶 体,其中其系采用一液晶显示器。 6﹒依据申请专利范围第1项所述之薄膜电晶 体,其中该位于通道保护层之倾斜部下方 之半导体层的杂质浓度系渐进变化的。 7﹒一种薄膜电晶体之制造方法,系包括以下 步骤: 形成一闸电极于一基底上,形成一覆 盖前述闸电极之闸绝缘膜,形成一半导体 层于前述绝缘膜以便形成一通道区域,以 及形成一圆锥体形通道保护层于中央附近 之半导体层上,该保护层包含有倾斜的右 左侧面; 为了提供电阻接触,藉杂质之离子移 植在暴露的半导体层及倾斜侧面之足部正 下面之半导体层内形成一离子掺杂区域; 以及 形成一泄电极及一源电极,系分别自 前述通道保护层之右左侧沿着暴露的半导 体层向右左方向延伸。 8﹒依据申请专利范围第7项所述之薄膜电晶 体之制造方法,其中杂质之离子移植之加 速电压系在1至100keV之范围内。图示简单说明: 第l图系显示本发明一薄膜电晶体之 一部分之平面图; 第2图系沿第l图中B-B线之断面 图; 第3图系显示根据本发明的离子移植 之断面图; 第4图系习知薄膜电晶体之一部分的 平面图; 第5图系沿第9图A-A线之断面图 ;及 第6图系习知的离子移植之断面图。 |
