发明名称 Dispositif de détection de puissance sur la sortie d'un circuit électronique.
摘要 <P>L'invention concerne l'asservissement d'un circuit électronique, qui nécessite la détection de la puissance délivrée sur sa sortie. <BR/> Ce dispositif est essentiellement constitué par un transistor (13) à effet de champ, à polarisation VD S nulle, monté entre la masse et un réseau d'adaptation (11, 12) en sortie du circuit. Ce transistor se comporte soit comme une capacité, soit comme une diode. Un filtre passe-bas (14, 15, 16), connecté entre le transistor (13) et le réseau (11, 12), délivre une tension de détection (Vd é t ). <BR/> Application aux circuits hyperfréquences.</P>
申请公布号 FR2699285(A1) 申请公布日期 1994.06.17
申请号 FR19920014950 申请日期 1992.12.11
申请人 THOMSON CSF SEMICONDUCTEURS SPEC 发明人 PATAUT GERARD;DIETSCHE STEFAN
分类号 H03G1/02;G01R21/10;H03F3/217;(IPC1-7):G01R21/06;H03F3/20 主分类号 H03G1/02
代理机构 代理人
主权项
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