| 主权项 |
1﹒一种有毫微结晶颗粒分布于基质中之金属 合金,该合金包含: 6至72原子百分比铁; 12至81原子百分比镍;其中铁及镍原子百 分比的和为60至90百分比; 0﹒1至10原子百分比至少一由含铬、钒、 铝、钨、铌、钽、钛、锆及铪族群中选出 的元素; 0﹒1至30原子百分比硼; 0至15原子百分比矽;其中硼及矽原子百 分比的和为0﹒1至30原子百分比; 其中所有元素加上不纯物的和基本上为 100 ;及 该毫微结晶颗粒具不大于100毫微米的有 效颗粒尺寸。 2﹒一种有毫微结晶颗粒分布于基质之金属合 金,该合金包含: 7至45﹒2原子百分比铁; 33﹒6至72原子百分比镍;其中铁及镍原子 百分比的为70至87原子百分比; 2至6原子百分比钼; 14至18原子百分比硼; 0至5原子百分比矽;其中硼及矽原子百 分比的和为14至30原子百分比; 其中所有元素加上不纯物原子百分比的和 基本上为100;且该毫微结晶颗粒具不大 于100毫微米直径的有效颗粒尺寸。 3﹒根据申请专利范围第2项之合金,其具公 称组成Fe40Ni38Mo4B18(Fe:铁,Nl:镍,Mo :钼,B:硼)。 4﹒根据申请专利范围第1项之合金,其结构 为至少20百分比毫徵结晶。 5﹒根据申请专利范围第1项之合金,其具基 本上均匀分布于非晶态基质之毫微结晶颗 粒。 6﹒根据申请专利范围第1项之合金,其中该 毫微结晶颗粒为由具面心立方结构的镍铁 钼所构成。 7﹒一种制造有毫微结晶颗粒分布于基质的金 属合金之方法,包括下列步骤: 提供具至少两结晶温度的非晶态合金,第 一者为形成毫微相的第一结晶温度,且第 二者为形成第二结晶相的第二结晶温度 并且在至少两居里温度,第一者为第二磁 相居里温度与第二者为毫微结晶相居里温 度; 加热该非晶质合金至低于该第二结晶温度 的温度至足以于该非品质合金中形成毫微 结晶颗粒的时间之久; 冷却该非品质包含毫微结晶颗粒约合金至 低于该毫微结晶相居里温度之第二增温; 保持该非品质包含毫微结晶颗粒的合金在 该第二增温至足以改善该包含毫微结晶颗 粒合金相对于第一加热步骤形成合金相同 磁性的至少一磁性的时间期间之久;及 冷却该合金。 8﹒一种制造有毫微结晶颗粒分布于基质的金 属合金之方法,包括下列步骤: 提供具至少两结晶温度的非晶态合金,第 一者为在或高于形成毫微结晶相温度的第 一结晶温度,及第二者为在或高形成第二 结晶相的第二结晶温度,并且在至少二居 里温度,第一者为第二磁相居里温度与第 二者为毫微结晶相居里温度; 加热该非晶质合金至低于该第二结晶温度 的温度至足以于该非品质合金中形成毫微 结晶颗粒的时间之久; 冷却该非晶质包含毫微结晶颗粒的合金至 低于该第二磁相居里温度之第二增温; 保持该包含毫微结晶颗粒约合金在该第二 增温至足以改善该包含毫微结晶颗粒合金 相对于第一加热步骤形成合金相同磁性的 至少一磁性的时间期间之久;及 冷却该合金。 9﹒根据申请专利范围第7或8项之方法,其 中该第二步骤退火为在施用磁场存在下进 行。 10﹒根据申请专利范围第7或8项之方法, 其中寂第二增温为在该居里温度的50℃之 内。图示简单说明: 图1为如铸合金之X光绕射型。 图2为铸造及单退火后合金的X光绕 射型。 图3为于本发明范围外条件下退火之 合金的X光绕射型。 图4为其绕射型示于图2中文合金的 穿透式电子显微镜微视图。 图5为其绕射型示于图3中文合金的 穿透式电子显微镜微视图。 图6为显示本发明之无磁场退火合金 在室温及三种不同频率下增加磁导对核损 失的影响之对数一对数图形。 图7为显示为横向磁场中退火合金在 室温及三种不同频率下增加磁导对核损失 的影响之对数一对数图形。 图8为显示为纵向磁场中退火合金在 室温及三种不同频率下增加磁导对核损失 的影响之对数一对数图形。 图9为比较于无、纵向及横向磁场中 退火合金在50千赫兹及室温下增加磁导对 核损失的影响之对数一对数图形。 |
