发明名称 以读写记忆体构成的多重按键检测电路
摘要 一种以读写记忆体构成的多重按键检测电路,系以一读写记忆体及相关之正反器电路及逻辑电路构成一按键检测电路,用以检测一按键电路所送出之按键信号,藉由该读写记忆体以read/write(读/写)之方式记忆每个按键之前一按键状态,来和目前按键状态作比较,以辨别多键按键中那个键按下或放开。
申请公布号 TW226197 申请公布日期 1994.07.01
申请号 TW081215960 申请日期 1992.11.26
申请人 合泰半导体股份有限公司 发明人 黄守伟;蔡承佑
分类号 G01H1/18;G06F12/00 主分类号 G01H1/18
代理机构 代理人 黄博全 台北巿松德路一七一号二楼
主权项 1﹒一种以静态读写记忆体构成的多重按键检 测电路,系乃由一静态读写记忆体及一控 制电路单元等所构成,该控制电路单元系 主要包括有: 一逻辑闸电路,作为数个正反器之输出入 讯号处理,由反及闸、反相闸、互斥或 闸等元件构成,其中该互斥或闸系将目 前按键状态与静态读写记忆体读出的信 号作比较; 一第一正反器,将前述互斥或间之输出与 读写记忆体中R/wB信号负缘取同步信号 一第二正反器,将4K信号的负缘取1K信号 ,作为静态读写记忆体中R/WB端的输入 信号; 一第三正反器,系将按键所产生的信号与 静态读写记忆体致能端信号之负缘取同 步信号以将目前按键状态重行写入读写 记忆体中; 本电路系结合于一具有复数个按键之 按键电路,按键电路经逻辑电路送出按键 信号至本电路中,该读写记忆体之记忆容 量依据按键电路之按键数而定,其以read /、write (读/写)之方式记忆每个按键 之前一按键状态,来和目前按键状态作比 较,以辨别多键按键中那个键按下或放开。 2﹒如申请专利范围第1项所述之以读写记忆 体构成的多重按键检测电路,其静态读写 记忆体其系为一15*1位元(bits)之记 忆体装置。 3﹒如申请专利范围第1项所述之以读写记忆 体构成的多重按键检测电路,其检测电路 所结合之按键电路系为一直接式或一矩阵 式之按键电路。图示简单说明: 图一系本创作之检测电路结合于直接( direct)按键排列式电路图; 图二系本创作之检测电路结合于矩阵( matrix)按键排列式之电路图; 图三所示系本创作检测电路之较佳实施 例详细电路图; 图四系本创作检测电路相关节点的时序 图。
地址 新竹巿科学工业园区研新二路五号