| 主权项 |
1﹒一种热电冷却偶结构改良,其包含有:热电冷却偶、温度侦测器件,藉由以氧化铝基板上相对应于两个热电半导体(P型、N型)连接面宽度的位置上,烧结一片铜箔,而以上下两片氧化铝基板所烧结的铜箔相互错开排放,形成所有热电半导体串联的形态,另在铜箔上沾上鍚膏,再依P型及N型热电半导体相间排列于两片氧化铝基板中间的铜箔电路上成一矩型(正方型或长方型),其特征在于:在排列P型及N型热电半导体时,于排列P型及N型热电半导体的安排间隙略做调整,在适当位置空出一定空间,以安装温度侦测器件,然后在此空间的相对位置上之氧化铝基板同样用铜箔烧结成电路,以提供温度侦测器件固定及器件接脚的电路导引。2﹒如申请专利范围第1项所述之热电冷却偶结构改良,其中,该温度侦测器件可依不同的需求,分别置于热电冷却偶的冷接面或热接面,甚至于冷热两面均加以置放侦测。3﹒如申请专利范围第1项所述之热电冷却偶结构改良,除了置放温度侦测器件外,也可依据其它需求,置放热敏开关与P型及N型热电半导体的电通路串联时,长开型热敏开关置于冷接面可当过热启动装置,而长闭型热敏开关置于热接面可当过热保护。4﹒如申请专利范围第1项所述之热电冷却偶结构改良,除了置放温度侦测器件外,又可置放小型无融丝开关与P型及N型热电半导体的电通路串联,即成过电流保护装置。图示简单说明:第一图系本创作之结构外观立体图第二图系本创作之结构立体分离图第三图系本创作之结构平面剖视图第四图系本创作之结构运用实施例图 |
