| 主权项 |
1﹒一种具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,包括下列步骤:提供一矽基底,其被掺植第一种导电性质,其被掺植第一种导电性质的杂度,且具有均区式化层区隔出元件区;在矽基底上形成一层复晶矽和一层矽氮化物;上光阻覆盖住要形成埋入式位元线源极/汲极区域,并将暴露出的矽氮化物和复晶矽蚀刻掉,再去掉光阻;进行氧化步骤,在矽基底和复晶矽暴露出的表面形成阻隔式化层;去除残余的矽氮化物;利用第二种导电性质的掺杂剂,进行复晶矽层的掺植,并因而在复晶矽层下方的矽基底表面,形成浅接面区域,构成源极/汲极区;去除阻隔氧化层,并长闸极氧化层;以及沈积并成型闸极层,完成编程之前的光罩唯读记忆体。2﹒如申请专利范围第1项所述之具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,其中在闸极层的沈积和成型步骤中,包括在闸极层位于通道上方的侧边,形成侧壁间隔件。3﹒如申请专利范围第2项所述之具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,其中在复晶矽层的形成步骤中,所形成的复晶矽层厚度约为1000-4000A。4﹒如申请专利范围第2项所述之具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,其中该第一种导电性质为P型,而第二种导电性质为N型。5﹒如申请专利范围第4项所述之具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,其中在复晶矽层的掺植制程中,系利用POCL2掺杂剂,在约800-900℃的温度下进行。6﹒如申请专利范围第2项所述之具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,当所完成的光罩唯读记忆体要进行编程时,包括下列步骤:7﹒如申请专利范围第6项所述之具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,其中第一种导电性质为P型,而第二种导电性质为N型。8﹒如申请专利范围第7项所述之具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,其中在编程的离子植入步骤中,系采用硼离子,而且植入能量约为150KeV,掺入量约为1x1014atoms/cm2。9﹒如申请专利范围第2项所述之具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记忆体之制造方法,其中该闸极层是采用复晶矽材料。图示简单说明:第l图显示一种传统具有埋入式位元线的光罩唯读记忆体结构之上视示意图。4第2图是沿着第1图的Ⅱ-Ⅱ线剖开之剖面示意图。第3A至3 E图绘示依照本发明一较佳实施例,一种具有浅接面埋入式位元线的光罩唯读记亿体之制造方法流程示意图第4图显示依照本发明所制成的光罩唯读记忆体结构,进行编程的剖面示意图。第5图显示依照本获明所制的光罩唯读记忆体结构之上视示意图。 |
