半导体之图案形成方法

摘要

本发明半导体元件之精细图案之形成方法系由以下步骤所构成：(a) 在一矽基片上形成一待转写层，然后在其上以蚀刻选择性大于第一中间转写层之材料形成一屏蔽层，然后形成图案以便制作线宽L 及线间隔S=L＋28之屏蔽层及中间转写层；(b) 将与中间转写层相同之材料作成厚度8 ；(c)使用与屏蔽层相同之材料，使之平坦化；(d)蚀刻该平坦屏蔽层以便使中间转写层露出；(e) 执行中间转写层之等向蚀刻及予以处理以便使中间转写层之线宽及线间隔成为L/2及S/2；(f) 藉蚀刻除去该屏蔽层，然后使用中间转写层作为屏蔽，执行待转写层之各向异性乾蚀刻；以及(g) 除去中间转写层以完成图案。

主权项

1﹒一种半导体元件之精细图案之形成方法,包括以下步骤:在一矽基片上形成一待转写层,在此待转为层上形成厚度之一第一中间转为层,然后以蚀刻速率大于第一中间转写层之材料在该第一中间转为层上形成一第一屏蔽层,其后,以一线宽L及一线间隔「S=L+2」图案形成于第一屏蔽层及第一中间转写层;将与第一中间转为层相同之材料淀积成厚度,藉以形成一第二中间转写层;将与第一屏蔽层相同之材料予以淀积及平坦化,藉以形成一第二屏蔽层;蚀刻已平坦化的第二屏蔽层,以便使第一屏蔽层上之第二中间转为层之一部分露出;局部地等向蚀刻第一及第二中间转写层,藉以分别以线宽L/2及线间隔S/2形成第一及第二中间转写层之图案;以及蚀刻第一及第二屏蔽层,藉此将第一及第二中间转为层之图案转为于待转为层,使用第一及第二中间转为层作为屏蔽,以执行待转写层之各向异性乾蚀刻,然后除去第一及第二中间转写层。2﹒依据申请专利范围第1项所述之半导体元件之精细图案之形成方法,其中该第一及第二中间转为层系一矽氮化物,而第一及第二屏蔽层则为SOG。图示简单说明:第l图系半导体之部分断面图,用以说明半导体精细图案之习知形成方法:及第2图系半导体之部分断面图,用以说明本发明半导体精细图案之形成方法。