发明名称 金属沈积之方法
摘要 由一金属前驱物质(metal precursor)将金属沈积于适当基质上之方法,包括经由载体气体(carrier gas)来输送金属先驱物质、再将上述先驱物质蒸发至上述基质,其中所述载体为于某一温度下,将其流过含有于上述温度下通常为固体之上述前驱物质之液体以承载上述前驱物质。
申请公布号 TW227624 申请公布日期 1994.08.01
申请号 TW081105591 申请日期 1992.07.15
申请人 气体产品及化学品股份公司 发明人 安东尼斯.威海莫斯.盖尔;戴立欧.马斯洛.弗利哥
分类号 H01L21/365 主分类号 H01L21/365
代理机构 代理人 林圣富 台北巿和平东路二段二○三号四楼;陈展俊 台北巿和平东路二段二○三号四楼
主权项 1﹒一种用金属前驱物质来于适当基质上沈积金属之方法,其包含以载体气体来传送前驱物质,由该前驱物质上蒸发至该基质,其特性为于某温度下,将该载体气体流经含有于该温度下为固体之该前驱物质的液体来进料。2﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中所述之前驱物质与其中所述之液体有所接触。3﹒根据申请专利范围第2项之方法,其中所述之前驱物质为溶于其中所述之液体中。4﹒根据申请专利范围第3项之方法,其中所述之液体之蒸气压与前驱物质相较为低。5﹒根据申请专利范围第4项之方法,其中所述之蒸气压至少较前驱物质之蒸气压低上一个数量级。6﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中所述之液体对其中所述之前驱物质为饱和。7﹒根据申请专利范围第5项之方法,其中所述之液体对其中所述之前驱物质为饱和。8﹒根据申请专利范围第1项之方法,于其中所述之流过期间,仍有某些数量的原始存在(originallypresent)之上述前驱物质仍未溶。9﹒根据申请专利范围第8项之方法,于其中所述之流过期间最多有50%重量比之上述液体蒸发。10﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中所述之方法为应用于有机金属化学蒸气沈积(MOCVD)制程中。11﹒根据申请专利范围第10项之方法,其中所述之液体为含于一气泡器容器内。12﹒根据申请专利范围第11项之方法,其中上述之载体气体为经由汲管供入,且上述液体应加至某个液面高度使得上述汲管可伸入该液面高度之下。13﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中所述之温度为室温。14﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中所述之前驱物质为三甲基铟。15﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中所述之液体为融点低于室温且沸点至少150℃的碳氢化物。16﹒根据申请专利范围第15项之方法,其中所述液体之沸点至少为200℃。17﹒根据申请专利范围第15项之方法,其中之液体为至少具有12个碳原子之直链、具侧链脂肪族或芳香族之碳氢化物。18﹒根据申请专利范围第15项之方法,其中之液体为十六烷。1g﹒根据申请专利范围第1项之方法,其中所述之液体为以加入路易斯硷形成。20﹒根据申请专利范围第19项之方法,其中之路易斯硷为正,正─二甲基十二烷基胺。21﹒根据申请专利范围第19项之方法,其中之路易斯硷为1,3,5─三乙基六氢─1,3,5─三连氮。22﹒根据申请专利范围第19项之方法,其中之路易斯硷为四乙二醇二甲醚。
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