| 主权项 |
1.一种电程式之仅读记忆器装置之制法,系包括:在半导体基材上形成N型#区,P型#区后,再成长一垫氧化层及氮化矽沈积,并经一位元线光罩于#区内形成位元线沟槽,和该沟槽内成长一氧化层及植入与#区同一导电型之低浓度杂质离子,以提高通道之击穿(Punch-through)电压;然后,沈积第一复晶矽并蚀刻回去,使其于位元线构槽内残留有适当厚度,又除去氧化层,使其位元线沟槽底部内残留有隔离氧化层;再次沈积第一复晶矽并高漕度掺杂与#区不同导电型之杂质及蚀刻回去技术,使第一复晶矽与氮化矽约略等平面,以形成复晶矽源极汲极再经热氧化,则第一复晶矽成长一帽盖氧化层,以做为后段#区蚀刻之遮罩;接着,进行一字线光罩,氮化矽去除,及垫氧化层去除后,于#区内再形成有浮动闸沟槽,并将光阻去除和植入起始电压调整之杂质离子,然后氮化矽去除及垫氧化层去除;之后,成长一闸氧化层及第二复晶矽沈积并杂质掺杂和蚀刻回去,使其略与半导体基材等平面,再全面性地表面离子植入以做为浮动闸与字线间之隔离作用,及表面氧化物去除;最后,沈积一绝绿层以做为浮动闸与字线之电性隔离,及沈积第三复晶矽并杂质掺杂,和经由字线光罩定义出若干平行字线。2.依申请专利范围第1项所述之一种电程式之仅读记忆器装置之制法,其中位元线沟槽及浮动闸沟槽皆系以异向性蚀刻技术所达成的。3.依申请专利范围第1项所述之一种电程式仅读记忆器装置之制法,其中浮动闸沟槽蚀刻尚包括乾蚀刻及湿蚀刻,其中湿蚀刻系使浮动闸沟槽与位元线沟槽相重叠,且浮动闸沟槽与隔离氧化层间需留有适当间隙,如此方能产生通道区。4.依申请专利范围第1项所述之一种电程式之仅读记忆器装置之制法,其中起始电压调整之杂质离子植入系分成二道不同植入角度所达成,其一为0角植入于浮动闸沟槽底部,另一为15至60植入于边墙部份。5.一种电程式之仅读记忆器装置,系包含:在半导体基材内形成N型,P型#区;#区内形成有内含隔离氧化层及第一复晶矽之位元线沟槽;及内含有闸氧化层和第二复晶矽之浮动闸沟槽;一覆盖整个半导体基材之绝缘体以做为浮动闸与字线之电性隔离;及由第三复晶矽沈积并经字线光罩定义出之若干平行字线。6.依申请专利范围第5项所述之一种电程式之仅读记忆器装置,其中浮动闸沟槽之两端需与位元线沟槽相重叠,且浮动闸沟槽与隔离氧化层需留有适当间隙,以形成通道区。7.依申请专利范围第5项所述之一种电程式之仅读记忆器装置,其中第一复晶矽配合不同型#区可由掺杂相对型杂质而定义出P型或N型元件。8.依申请专利范围第5项所述之一种电程式之仅读记忆器装置,其中浮动闸与字线光罩可由同一光罩不同正负光阻定义外,亦可由同型光阻而正反相反之两光罩定义之。图1为传统之EPROM之元件剖面图。图2A-2H为依据本发明之各主要装程之元件剖面图。图3EPROM单元之矩阵布局示意图。图4为沿图3之A-AC'C线之剖面图。图5为沿图 |
