发明名称 原处测试积体电路晶片之方法与装置
摘要 本案揭露了一种测试半导体晶片的方法。各别的半导体晶片具有输入/输出、电源、及接地接点。在本发明的方法中,提供了一种晶片载体。此晶片载体的各接点系对应于半导体晶片上的各接点。该等载体接点具有枝状表面。使晶片各接点与晶片载体上的各导体垫做导电接触。将测试信号输入向量施加到此半导体晶片的各输入端,并自此半导体晶片取得输出信号向量。在测试之后,可自基底取出此晶片。在替代的方式中,于成功测试之后,可经由各枝状导体垫将此晶片接合到基底。
申请公布号 TW232090 申请公布日期 1994.10.11
申请号 TW083101868 申请日期 1994.03.03
申请人 万国商业机器公司 发明人 安利库马.契鲁帕沙德.哈特;安东尼.保罗.英格汉;沃亚.瑞斯塔.马可维曲;里欧.雷蒙.布达;保罗.约瑟夫.哈特;贾纳.艾比汀.摩拉;罗伯.道格拉斯.爱德华
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种测试半导体晶片之方法,此半导体晶片具有第一复数个输入/输出电源、及接地接点,此方法包含下列各步骤:a.提供一晶片载体,此晶片载体具有对应于该等第一复数个接点的第二复数个接点,该等第二复数个接点具有高表面区域的若干导体表面;b.使此半导体晶片的第一复数个接点与此晶片载体上的第二复数个接点做导电接触;以及c.将测试信号输入向量传送到此半导体晶片,并自此半导体晶片接收测试信号输出向量。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中晶片载体是一个测试夹具,该方法又包含下列各步骤:自此测试夹具取出诸积体电路晶片;以及将通过测试的晶片与无法通过测试的晶片分开。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中晶片载体是一个电路构装,该方法又包含下列各步骤:自此构装取出无法通过测试的晶片;以及将通过测试的晶片接合到此构装。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中此半导体晶片的第一复数个接点系选择自下列组群:焊锡、熔点在摄氏200度以下的低熔点合金、焊球、以及受控收缩晶片连接球。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中高表面区域的第二复数个接点系选择自下列组群:柱形树枝状结晶、以及聚合物核心锥形连接装置。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中高表面区域的第二复数个接点系柱形树枝状结晶,此柱形树枝状结晶包含在一平滑钯薄膜之上的柱形钯。7.根据申请专利范围第6项之方法,其中柱形钯树枝状结晶之高度约为10到100微米,其密度约为每平方毫米约有200到500个树枝状结晶。8.根据申请专利范围第6项之方法,其中系利用双相脉冲式电解沉积以沉积该柱形钯。9.一种测试半导体晶片之方法,此半导体晶片具有第一复数个输入/输出、电源、及接地接点,该等接点系自一组群选出,此组群包括焊锡、熔点在约摄氏200度以下的低熔点合金、焊球、以及受控收缩晶片连接装置,此方法包含下列各步骤:a.提供一晶片载体,此晶片载体具有第二复数个接点,该等第二复数个接点系自一组群选出,此组群包括(i)柱形树枝状结晶以及(ii)聚合物核心锥形连接装置,该等第二复数个接点并系对应于该等第一复数个接点;b.使此半导体晶片的第一复数个接点与此晶片载体上的第二复数个接点做导电接触;c.将测试信号输入向量传送到此半导体晶片,并自此半导体晶片接收测试信号输出向量。d.自此晶片载体取出无法通过测试的晶片;以及e.将通过测试的晶片接合到此晶片载体。10.一种测试半导体晶片之方法,此半导体晶片具有第一复数个输入/输出、电源、及接地接点,该等接点系自一组群选出,此组群包括焊锡、熔点在约摄氏200度以下的低熔点合金、焊球、以及受控收缩晶片连接装置,此方法包含下列各步骤:a.提供一晶片载体,此晶片载体具有第二复数个接点,该等第二复数个接点包括柱形钯树枝状结晶,该等柱形钯树枝状结晶系对应于该等第一复数个接点;b.使此半导体晶片的第一复数个接点与此晶片载体上的第二复数个接点做导电接触;c.将测试信号输入向量传送到此半导体晶片,并自此半导体晶片接收测试信号输出向量。d.自此晶片载体取出无法通过测试的晶片;以及e.将通过测试的晶片接合到此晶片载体。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中柱形树枝状结晶包含在一平滑钯薄膜之上的柱形钯。12.根据申请专利范围第11项之方法,其中柱形钯树枝状结晶之高度约为10到100微米,其密度约为每平方毫米约有200到500个树枝状结晶。13.根据申请专利范围第11项之方法,其中系利用双相脉冲式电解沉积以沉积该柱钯。14.一种测试半导体晶片之方法,此半导体晶片具有第一复数个输入/输出、电源、及接地接点,该等接点系自一组群选出,此组群包括焊锡、熔点在约摄氏200度以下的低熔点合金、焊球、以及受控收缩晶片连接装置,此方法包含下列各步骤:a.提供一晶片载体,此晶片载体具有第二复数个接点,该等第二复数个接点包括柱形钯树枝状结晶,该等柱形钯树枝状结晶系对应于该等第一复数个接点;该等第二复数个接点并包括在一平滑钯薄膜之上的柱形钯,此柱形钯树枝状结晶之高度约为10到100微米,其密度约为每平方毫米约有200到500个树枝状结晶,且其中系利用双相脉冲式电解沉积以沉积该柱形钯;b.使此半导体晶片的第一复数个接点与此晶片载体上的第二复数个接点做导电接触;c.将测试信号输入向量传送到此半导体晶片,并自此半导体晶片接收测试信号输出向量。d.自此晶片载体取出无法通过测试的晶片;以及e.将通过测试的晶片接合到此晶片载体。图1是枝状连接装置的代表图,所示者系其剖视图。图2是本发明方法的示意流程图。图3是用于说明测试向量的随机存取记忆体及解码器之电路图。图4是随机存取记忆体(RAM)单元中被动故障的代表图。图5是随机存取记忆体(RAM)单元中主动故障的代表图。图6A及6B是脉冲式电镀的电压对时间图。图6A所示者系习用技术〝供电/断电〞电镀方法的电压对时间代表图。图6B所示者系本发明较佳实施例的反相方法之电压对时间代
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