| 主权项 |
1.氧化矽膜之形成方法包含:在基板表面上形成矽倍半氧烷氢树脂膜;并在一种含有 0 体积分率至 20 体积分率之氧及 80 体积分率至 100(但不含 100)体积分率之钝气之混合气氛中加热,载有树脂膜之基板而将矽倍半氧烷氢树脂转化成氧化矽陶瓷,其到氧化矽产物中和矽链结之氢含量低于或等于矽倍半氧烷氢树脂中和矽键结之氢含量之80为止。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中形成于基板表面之矽倍半氧烷氢树脂膜系藉制备一种矽倍半氧烷氢树脂之有机溶剂溶液,再藉选自旋转涂布,喷雾及浸渍之方法覆上此溶液,接着除去溶剂而得。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中之溶剂系选自芳香族溶剂,脂肪族溶剂,酮溶剂,酯溶剂,及矽氧溶剂。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中基板系选自玻璃基板,陶瓷基板,金属基板,及半导体元件。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中钝气系选自氮气,氩气,氦气,及氖气。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中气含量介于1体积分率至19体积分率。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中加热温度介于250℃至500℃。8.根据申请专利范围第1项之方法,其中加热时间足使氧化矽产物中和矽键结之氢含量降至矽倍半氧烷氢树脂中和 |
