基体之涂膜或蚀刻装置

摘要

本发明为关于基体涂膜或蚀刻之装置。在此装置中，一高频(HF)偏压在不接触下被产生。为达此目的，电浆源有一偏差盆形状，此盆形物放置在离基体载体为一黑暗空间距离处且以高频(HF)偏压作用其上。依使用来源之不同，此偏差盆形物可被建造成一独立单元或成为其所连接来源之组成部份，以便，例如，像高频(HF)磁电管盘导电。利用此种藉合进来的高频功率，载体上的直流电位及因此而产生的基体离子植入可被将门地建立起来。

主权项

1.用于涂膜或蚀刻基质的装置,具有一包含有至少一个上限壁 (2 ) 和一下限壁 (3 ) 的处理室 (1 ) ;一置于上和下限壁 (2,3 ) 之间的载体 (11 ) ;一置于载体 (11) 上面的基质 (14 ) ;在处理室的上限壁 (2 ) 有一电浆产生装置 (4;34;43,44 ) ,其特征为相对于两壁 (2,3 ) 载体 (11 ) 是可移动的,在载体 (11 ) 和上限壁 (2 ) 之间有气体入口 (15,16 ) ,介于电浆产生装置 (14;34;43,44 ) 和基质 (14 ) 或载体 (11 ) 之间的容积,被一偏差电压盆形物 (19,30,40 ) 所包围,其中被偏差电压盆形物 (19,30,40 ) 所包围之容积内只含有电浆,和介于偏差电压盆形物 (19,30;40 )之底边缘和基质 (14 ) 表面或载体 (11 ) 表面间之距离为小于黑暗空间之距离,一电压源 (9 ) ,与偏差电压盆形物 (19,30,40 ) 电连接。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,该偏差电压盆形物 (30 ) 由圆柱形金属栅极 (19 ) 所形成。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,该偏差电压盆形物 (30 )包含有一金属圆柱形套管。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,该基质(14 )置于可移动通过室(17,37,49 )的载体 (11 )上。5.如申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,该处理室被一上和下壁 (2,3 )所封闭,其中在两壁之间有载体(11 )和基质 (14 )。6.如申请专利范围第1项和第5项所述之装置,其特征为,在载体 (11 )和上壁 (2 )之间至少有一气体入口 (15,16 )。7.如申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,该电浆室 (17 )的上方区域包含有一磁电管 (4 )。8.如申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,该电浆室 (37 )有一遥远的电浆源(36 )。9.如申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,该室 (49 )与微波照射器 (43,44 )连接。10.如申请专利范围第8项所述之装置,其特征为,该处理室的上壁 (2 )有一凸出物(35 ),可包围有偏差电压盆形物 (30 )的主要区域。11.如申请专利范围第9项所述之装置,其特征为,该处理室的上壁 (2 )包含有一凸出物 (50 ),可包围偏差电压盆形物 (40 )的主要区域,其中在凸出物的外壁,有永久磁铁(47,48 )。12.如申请专利范围第1项所述之装置,其特征为,该电压源为一AC电压源,频率为13.56MHz的范围。图一为一电浆室,其中基质被携带通过一电极;图二为更进一步地具有可移动基质的电浆室,其