各向异性的五氧化铌蚀刻术

摘要

五氧化铌基底34系浸入液体环境(例如10%氢氟酸30)中并由辐射源(例如200瓦水银氙弧灯20)所产生之幅射(例如经平行校正之(collimated)可见光／紫外线幅射24)予以照射。实质上可由经平行校正之辐射24所穿透窗26使得辐射之能量能够到达五氧化铌基底34。在辐射源20与基底34之间可设置蚀刻光罩(例如有机光阻32)。五氧化铌基底34与液体环境30系保持为额定(nominal)温度(例如25℃)。无照射时，液体环境并未以可察觉方式蚀刻五氧化铌。于照射时，蚀刻率显着增加。

主权项

1.一种以各向异性方式蚀刻五氧化铌之方法,包含诸步骤:(a)将上述五氧化铌之表面浸入液体环境中;以及(b)以辐射照射上述表面之部分,从而以实质上较上述表面之未照射之部分为大之蚀刻率蚀刻上述表面之经照射之部分。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述表面之经照射之部分之温度实质上与上述表面之未照射之部分之温度相同。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述液体环境系由氢氟酸组成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述辐射系由水银氙弧灯所产生。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述辐射之传播方向实质上垂直于上述表面。6.如申请专利范围第1项之方法,其中在上述辐射源与上述表面之间安置一蚀刻光罩,使得上述表面之部分未被照射。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述蚀刻光罩系由有机光阻组成。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述蚀刻光罩系氮化矽。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述蚀刻光罩系一种贵金属。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述贵金属系铂。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述液体环境系酸性。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述液体环境系由盐类溶液组成。13.一种以各向异性方式蚀刻五氧化铌之方法,包含诸步骤:(a)将上述五氧化铌之表面侵入10氢氟酸中;以及(b)以水银氙弧灯产生之辐射照射上述表面之部分,从而以实质上较上述表面之未照射之部分为大之蚀刻率蚀刻上述表面之经照射之部分。图1系表示用以各向异性蚀刻NbC_2C