| 主权项 |
1.一种用以制造半导体装置之曝光法,包含以下步骤:主要绕射光从曝光装置之光源射出再照在形成于透明基板上之第一图案制成之具有既定图案之光罩上;然后除去最初绕射步骤中之未绕射光且垂直入射于藉由透明基板上之第二图案制成之光罩上。2.一种绕射罩幕用以防止光垂直入射于具有图案之光罩上,包含:一具有既定厚度之透明基板;许多配置于透明基板表面上且彼此等间隔离之第一图案,各第一图案具有既定形状与既定尺寸;以及许多第二图案配置于位在以第一图案形成之表面下方之另一透明基板表面且彼此等间隔离,各第二图案具既定形状及既定尺寸以使各相对于第一图案不致重叠。3.根据申请专利范围第2项之绕射罩幕,其中透明基板包含一对各以第一图案及第二图案形成之相隔透明基板体。4.根据申请专利范围第2项之绕射罩幕,其中透明基板包含一单一透明基板体,其上表面以第一图案形成而下表面以第二图案形成。5.根据申请专利范围第2项之绕射罩幕,其中各第二图案与各相对之第一图案以下列方程式述出之垂直距离(d)隔开:此处,a代表相邻第一图案之间距,p为各第一图案之宽度与相邻第一图案之间距之和,而为光之波长。6.根据申请专利范围第5项之绕射罩幕,其中各第二图案之宽度大于各第一图案之宽度与相邻第一图案之间距和的1/2。图1是说明于晶片上形成图案时习用之曝光条件之图示;图2是说明以习用之印版罩幕去除垂直入射光之曝光条件之图示;图3系说明用以除去垂直入射于根据本发明制成具有图案之罩幕上之光之印版罩幕之图示;图4为说明以图3中印版罩幕除去垂直入射光之曝光条件之图示;图5为图3中印版罩幕之平面图;以及图6为图3中印版罩幕之图示,可解释配置于印版罩幕之各绕射图案及各 |
