| 主权项 |
1.一种以无外加电压方式之电子束撞击氧化层针孔形成感应电流的方法,利用此种方法可检测出在一包括NC^+C型复晶矽层及闸极氧化层及基板的待测元件中闸极氧化层之缺陷的位置,此种方法包括如下之步骤:(Ⅰ)将上述之待测元件的护层去除乾净,藉以使电子束能良好穿透;(Ⅱ)先利用电子显微镜的一第一电子束扫描上述之待测元件表面,藉以产生二次电子,并利用一检测器检测此二次电子而得到上述待测元件表面之影像;(Ⅲ)再利用一第二电子束扫描上述之待测元件并使第二电子束穿透上述待测元件之闸极氧化层,藉以在上述之闸极氧化层具缺陷处形成空乏区,而在上述闸极氧化层无缺陷处产生感应电流,并据以产生一影像显示空乏区位置;(Ⅳ)调整步骤(Ⅱ)及步骤(Ⅲ)产生之影像的明暗对比并将其重叠,藉以得到一重叠的影像。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,用以扫描上述之待测元件表面的第一电子束具有约10KeV的能量。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,穿透上述闸极氧化层之第二电子束的能量须大于25KeV。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,在步骤(Ⅲ)中未对待测元件外加电压。5.一种以无外加电压方式之电子束撞击氧化层针孔形成感应电流的装置,其适用于检验一包括NC^+C型复晶矽层及闸极氧化层及P型基板的待测元件中的闸极氧化层之缺陷,此种装置包括:一高增益电流放大器,此放大器的输入端之正极和上述待测元件中的NC^+C型复晶矽层连接,而此放大器的输入端之负极和上述待测元件中的P型基板连接;一电子枪,用以分别产生具低能量及高能量之电子束,上述低能量之电子束系用以扫描上述待测元件之表面并产生二次电子,而上述高能量之电子束则用以扫描并穿透上述待测元件之闸极氧化层并产生感应电流;一二次电子检测器,用以接收由上述低能量电子束扫描上述待测元件表面而产生的二次电子并形成检测信号;一阴极射线管,用以先接收由上述二次电子检测器输出之检测信号并显现出一上述待测元件表面的影像,再接收上述高增益电流放大器之输出并显现出表示上述闸极氧化层之缺陷位置的亮点;及一同步电路,用以控制上述电子枪之扫描及上述阴极射线管之显示的水平及垂直同步。6.如申请专利范围第5项所述之装置,其中,上述高增益电流放大器的输入端之正极和上述待测元件中的基板连接,而上述高增益电流放大器的输入端之负极和上述待测元件中的NC^+C型复晶矽层连接,此时上述阴极射线管接收上述高增益电流放大器之输出并显现出表示上述闸极氧化层之缺陷位置的暗点。7.如申请专利范围第5项所述之装置,其中,上述之基板为N型基板。8.如申请专利范围第7项所述之装置,其中,上述阴极射线管接收上述高增益电流放大器之输出并显现出表示上述闸极氧化层之缺陷位置的暗点。第1图系说明EBIC技术之简化的配置图;第2图系一使用于积体电路中的保护电路的图式;第3图系说明本发明使用EBIC技术检验氧化层缺陷的配置图。第4图系说明和第3图相同,但待测元件连 |
