| 主权项 |
1.一种装置,包含:一半导体装置,有许多连接片位于该半导体装置表面之至少一中央行;许多连接指,各有一第一端直接连接至个别之第一许多上述连接片,及一第二端用于连接至外部电路;以及至少一滙流条,有许多滙流条连接指用于直接连接至第二许多上述连接片,以及至少一滙流条连接指供连接至外部电路。2.根据申请专利范围第1项之装置,其中上述许多连接指之第一端为在相对于有连接片之半导体装置表面之第一平面,并且上述至少一滙流条为在相对于该半导体装置表面之第二平面。3.根据申请专利范围第2项之装置,其中上述至少一滙流条横越第一许多连接指。4.根据申请专利范围第1项之装置,其中上述半导体之表面为顶部表面。5.根据申请专利范围第2项之装置,其中上述第一平面为在有连接片之半导体装置表面与二平面之间。6.根据申请专利范围第1项之装置,其中上述许多连接指之第二端及供连接至外部电路之至少一滙流条连接指形成为围绕半导体之一侧面或摺叠于其上。7.根据申请专利范围第2项之装置,包括一在第一平面上在上述至少一滙流条与连接指间之绝体。8.一种多层次引线框架,包含:一主框架;许多连接指,各有一第一端供连接至半导体装置之连接片,及一第二端连接至该主框架;以及至少一滙流条横越上述许多连接指,该滙流条有许多滙流条连接指供直接连接至半导体装置之连接片,及至少一滙流条连接指连接至上述主框架。9.根据申请专利范围第8项之装置,其中上述许多连接指之第一端为在相对于主框架之第一平面,以及上述至少一滙流条为在相对于主框架之第二平面。10.根据申请专利范围第9项之装置,其中上述第二平面为在与主框架相同之平面。11.根据申请专利范围第8项之结构,包括一在上述第一平面在上述第至少一滙流条与连接指面之绝缘体。12.一种方法,包含:提供一半导体装置,其中连接片位于该半导体装置表面之至少一中央行;提供许多连接指,其各有一第一端直接连接至一个别之第一许多上述连接片,以及一第二端供连接至外部电路;以及提供至少一滙流条,其有许多滙流条连接指供直接连接至第二许多上述连接片,及至少一滙流条连接指供连接至外部电路。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中上述许多连接指之第一端为在一相对于有连接片之半导体表面之第一平面,以及上述至少一滙流条为在一相对于半导体表面之第二平面。14.根据申请专利范围第12项之方法,其中上述许多连接指之第二端及供连接至外部电路之上述至少一滙流条连接指形成为围绕该半导体之侧面或摺叠于其上。15.根据申请专利范围第13项之方法,包括一在上述第一平面在上述至少一滙流条与连接指间之绝缘体。16.一种供积体电路晶片之多层次引线框架构形,包含:一主引线框架,有许多引线框架连接指供直接连接至积体电路晶片上之第一许多连接片;至少一滙流条,有许多滙流条连接指供直接连接至积体电路晶片上之第二许多连接片,上述诸滙流条连接指与引线框架连接指相连,以允许上述主引线框架及滙流条引线框架之一种引线覆盖晶片或构形。图1示一种供引线覆盖晶片式封装之习知引线框架构形;图2提供较佳实施例之引线架构及滙流条构形之剖开等角透视。图3a及3b示本发明较佳实施例某些部份之顶视图及侧视图;以及图4a及4b分别示本发明之一种替代性 |
