发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
摘要 본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 베이스; 베이스 위에 위치하는 복수의 반도체층;으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되어 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층과 전기적으로 연결되어 전자와 정공 중 하나를 공급하는 전극; 베이스와 복수의 반도체층 사이에서 활성층으로부터의 빛을 반사하는 제1 비도전성 반사막;으로서, 복수의 층을 가지는 제1 비도전성 반사막; 그리고 베이스와 제1 비도전성 반사막 사이에서 제1 비도전성 반사막을 통과한 빛을 반사하는 제2 비도전성 반사막;으로서, 일부의 층이 제1 비도전성 반사막과 다른 물질로 된 복수의 층을 가지는 제2 비도전성 반사막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.
申请公布号 KR101683683(B1) 申请公布日期 2016.12.09
申请号 KR20150086786 申请日期 2015.06.18
申请人 주식회사 세미콘라이트 发明人 최일균
分类号 H01L33/10 主分类号 H01L33/10
代理机构 代理人
主权项
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