| 主权项 |
1.一种具有T型闸极之LDD结构之制法,系包括:于第一导电型之矽基底上形成活跃区及场氧化层;再经热氧化使于活跃区上成长一闸氧化层;沈积一复晶矽层并含高浓度杂质;经一光罩及蚀刻复晶矽层及场氧化层,以形成一具有类似T型之闸极,且该闸极两端位于场氧化层之鸟啄处上,又场氧化层之蚀刻系以光阻为遮罩,使其仅剩位于闸极两端底部之鸟啄处;光阻去除后,再进行低浓度第二导电型杂质离子植入,该植入方向系与晶片垂直方向呈一倾斜之锐角,以形成低度掺杂源/汲极(LDD);于闸极周围形成一边墙隔离物;进行高浓度第二导电型杂质离子植入,以形成源/汲极;其中藉类似T型闸极及鸟啄处之厚度,以达提高热电子抑制力,降低闸极与源/汲间之电容和漏电流及增加静电保护功能等多重功效者。2.依申请专利范围第1项所述之一种具有T型闸极之LDD结构之制法,其中更加入一道高浓度第一导电型杂质离子植入以形成具有抗击穿之袋状(pocket)结构,同时再藉边墙隔离物及鸟啄处之阻挡,使低度掺杂源/汲极(LDD)之浓度不受影响而使元件之特性维持不变。3.依申请专利范围第1或第2项所述之一种具有T型闸极之LDD结构之制法,其中完成复晶矽沈积及离子植入后,接着沈积W(Tungsten)金属使其在复晶矽之上并形成金属矽化物(silicide)作为后续场氧化层之蚀刻庶罩及降低闸极之阻抗。4.依申请专利范围第1或第2项所述之一种具有T型闸极之LDD结构之制法,其中边墙隔离物系先沈积一介电质层再藉回蚀刻而达成,其介电质层之材质可以是氧化物或氮化物等。5.一种具有T型闸极之LDD结构,系包括:于第一导电型矽基底内包括低度掺杂源/汲极及高浓度源/汲极;于元件通道区上形成有闸氧化层,且于低度掺杂源/汲极上又形成有场氧化层之鸟啄处;一类似T型之闸极形成在闸氧化层及场氧化层鸟啄处之上;及一围绕在闸极边缘之边墙隔离物。6.依申请专利范围第5项所述之一种具有T型闸极之LDD结构,其中于源/汲极底部更包含一第一导电型袋状离子结 |
