| 主权项 |
1.一半导体装置,包含一半导体期底,形成于其上之一元件、以及置于该半导体基底上上之一应力缓冲薄膜,该应力缓冲薄膜由化学式(I)表示之一阶梯式矽氧树脂所构成。其中各端点基R可为相同或不同的基并且代表一氢原子或一烷基,各侧链R'可为相同或不同的的基并且代表一环己烷基、一低烷基或一光敏聚合性未饱利基,且n为等于或大于10的整数。2.如申请范利范围第1项所述之半导体装置,其中该各端点基R代表一烷基。3.如申请范利范围第1项所述之半导体装置,其中该各端点基R代表一氢原子。4.如申请范利范围第1项所述之半导体装置,其中该阶梯式矽氧树脂在侧链上具有一光敏聚合性未饱和基,其量占整个分子中侧链基R'总量的3mole%或更多。5.如申请范利范围第2项所述之半导体装置,其中该阶梯式矽氧树脂在侧链上具有一光敏聚合性未饱和基,其量占整个分子中侧链基R'总量的3mole%或更多。6.如申请范利范围第3项所述之半导体装置,其中该阶梯式矽氧树脂在侧链上具有一光敏聚合性未饱和基,其量占整个分子中侧链基R'总量的3mole%或更多。图示之简单说明:第1图为一剖面图,表示本发明范例1中制造半导体装置的流程步骤。第2图为一剖面图,表示本发明范例6中制造半导体装置的流程步骤。第3图为一剖面图,表示习知制造半导体装置的流程步骤。第4图为一剖面图,表示另 |
