含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺

摘要

本发明是含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及制作工艺，其结构按顺序为单晶硅薄层(3)、SiO₂过渡层(5)、金刚石膜(2)、多晶硅(4)。其工艺是在单晶硅片上逐层生长SiO₂过渡层，金刚石膜和多晶硅，再对单晶硅片进行减薄处理。生长金刚石膜是以丙酮为原料气体，减薄是机械抛光后使用离子束溅射技术。本发明不经高温区熔，工艺简单，可防止氧及杂质渗入，单晶硅薄层质量好；制作的集成电路具有抗辐射能力强、漏电小、性能稳定、界面态密度低等优点。

主权项

1、一种含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料，包括有单晶硅薄层(3)和金刚石膜(2)，金刚石膜(2)的面积小于单晶硅薄层(3)的面积，本发明的特征在于，在单晶硅薄层(3)和金刚石膜(2)之间生长有SiO2过渡层(5)；在金刚石膜(2)的表面上再覆有多晶硅(4)，多晶硅(4)面积大于金刚石膜(2)面积，将金刚石膜(2)包在SiO2过渡层(5)和多晶硅(4)之间。