| 主权项 |
1. 一种包含半导体本体之半导体装置,具可编程式之记忆单元包含具第一传导性类型之射极区域与集极区域由第二相反电导性类型之基极区域所相互分开,射极区域耦合至第一供应线及集极区域耦合至第二供应线,而基极区域则经由控制电晶体连接以便提供会可控制之基极电流(至少暂时在操作期间)之双极电晶体,其中集极区域系以电气绝缘,于此集极区域经由负载而连接至第二供应线,及于集极区域提供反馈至控制电晶体以使在给定电压领域以内之操作期间于射极区域与集极区域间电位差之改变导致经由控制电晶体电导相反之改变。2. 根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中该双极电晶体系与可转换之负载以串联连接及该负载系以转换设施提供以转换较高与较低値间之负载。3. 根据申请专利范围第1项之半导体装置,其中该控制电晶体包含具由控制通道区域相互分开之第二电导性类型之源极区与汲极区之场效电晶体,及于此该集极区域提供及馈至场效电晶体之通道区域。4. 根据申请专利范围第3项之半导体装置,其中通道区域系由一介质层自闸极电极分开,及于此集极区域系以电气连接至通道区域。5. 根据申请专利范围第4项之半导体装置,其中通道区域与集极区域共同由第一电导性类型之第一半导体区所构成,及于此设非源极区即为汲极区共同与基极区域由第二电导性类型之第二半导体区所构成。6. 根据申请专利范围第5项之半导体装置,其中该装置包含相似另外之记忆单元,于此两记忆单元包含毗邻表面及位于第二电导性类型埋层之集极区域,此埋层构成其极区域,于此该埋层系位于为两单元所共有之第一电导性类型之射极区域,及于此两单元乃由自表面延伸至少射极区域之槽沟而彼此分开,及其中提供为两单元所共有之闸极电极。7. 根据申请专利范围第1.2.3.4.5或6项之半导体装置,其中集极区域经连接至读出设施以在操作期间读出集极区域与参考电位间之电位差。图示简单说明:图1为依据本发明装置第一具体实施例之截面;图2为图1装置之等效电路图;图3示图1装置中作为对各闸极电压之集极电压之函数之集极电流;图4示图1装置中作为闸极电压函数之集极电流;以及 |
