发明名称 | 磁存储装置 | ||
摘要 | 提供一种磁存储装置,将数据记录频率设定在45MHz以上,当构成磁头的记录磁极的磁性膜的厚度为d(μm)、电阻率为ρ(μΩ-cm)、低频区域内的相对导磁率为μ时,使各参量满足μd<SUP>2</SUP>/ρ≤500的关系,从而能将记录磁场的衰减量抑制在10%以下,并能解决写不清的量及重写的值随记录频率的变化而变化的问题,且能使媒体的传输速度达到每秒15兆字节以上,记录数据的面记录密度达每平方英寸500兆位以上。 | ||
申请公布号 | CN1115071A | 申请公布日期 | 1996.01.17 |
申请号 | CN95104717.5 | 申请日期 | 1995.04.21 |
申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 高野公史;北田正弘;铃木干夫 |
分类号 | G11B5/31 | 主分类号 | G11B5/31 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 冯庚宣 |
主权项 | 1.一种磁存储装置,其特征为:采取措施,使媒体的每秒传输速度达15兆字节以上、记录数据每平方英寸的面记录密度达500兆位以上的器件。 | ||
地址 | 日本东京 |