发明名称 磁存储装置
摘要 提供一种磁存储装置,将数据记录频率设定在45MHz以上,当构成磁头的记录磁极的磁性膜的厚度为d(μm)、电阻率为ρ(μΩ-cm)、低频区域内的相对导磁率为μ时,使各参量满足μd<SUP>2</SUP>/ρ≤500的关系,从而能将记录磁场的衰减量抑制在10%以下,并能解决写不清的量及重写的值随记录频率的变化而变化的问题,且能使媒体的传输速度达到每秒15兆字节以上,记录数据的面记录密度达每平方英寸500兆位以上。
申请公布号 CN1115071A 申请公布日期 1996.01.17
申请号 CN95104717.5 申请日期 1995.04.21
申请人 株式会社日立制作所 发明人 高野公史;北田正弘;铃木干夫
分类号 G11B5/31 主分类号 G11B5/31
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 冯庚宣
主权项 1.一种磁存储装置,其特征为:采取措施,使媒体的每秒传输速度达15兆字节以上、记录数据每平方英寸的面记录密度达500兆位以上的器件。
地址 日本东京